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本发明公开了一种电感结构，包括片上电感以及位于所述片上电感下方的屏蔽层，所述屏蔽层包括多屏蔽单元，所述屏蔽单元与所述片上电感所产生的涡电流方向正交，所述屏蔽单元由MOS晶体管或金属线或多晶硅组成，且所述多个屏蔽单元中至少一个由MOS晶体管组...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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