混合块件和CVD系统技术方案

本实用新型专利技术的实施例大体上提供一混合块件，该混合块件用于混合多种前驱物及/或清洁剂，该混合块件的优点是维持温度以及改善前驱物、清洁剂或前述二者的混合物的混合效应，而消除基板间的差异，因而提供改善的工艺均匀性。此外，本实用新型专利技术还提供了一种CVD系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】混合块件和CVD系统技术背景1.
本技术关于用于CVD工艺的混合块件。2.现有技术的描述在集成电路、液晶显示器、平板与其他电子设备的制造中，多重材料层沉积在基板上，并且从该基板蚀刻出这些多重材料层。用于制造此设备的处理系统一般包括数个连接到中央传送腔室的真空处理腔室，以使基板保持在真空环境中。诸如物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强CVD (PECVD)、蚀刻、与退火等数个顺序处理步骤可分别地在这些处理腔室中执行。在一些PECVD系统中，TEOS (四乙氧单娃烧)前驱物用于沉积含娃材料。一些系统中，TEOS前驱物与清洁剂行进通过公共供应导管。由于清洁气体的反应活性造成的导管内温度上升可能会将导管加热到递送TEOS前驱物所期望的范围之上。因此，在清洁之后而在公共导管冷却到期望范围内的稳态温度之前，可能发生工艺偏移。再者，配置在导管内的静态型混合构件冷却缓慢(这是由于该构件与导管壁接触不良所致)，因而进一步增加需要将导管冷却到TEOS沉积期望的稳态温度的时间。因此，需要一种设备与方法，以维持混合块件的温度。技术概要本技术的一个态样中，提供用于混合多种前驱物及/或清洁剂的混合块件。在一个实施例中，本技术的混合块件是由单一块体的材料形成，并且该混合块件包含一体成形混合结构、两个前驱物递送通口、公共出口通口与至少一个通路。该一体成形混合结构具有第一腔室与第二腔室。该第一腔室与该第二腔室被该混合结构隔开，其中该混合结构是该混合块件的单一部件。所述两个前驱物递送通口耦接该第一腔室以用于分别递送至少一种预定的流体。该共同出口通口耦接该第二腔室。此外，所述通路形成于该混合块件中以用于使一冷却流体得以流过该混合块件。在一些实施例中，该第一腔室与该第二腔室可为形成在该混合块件中的同心钻孔，并且该第一腔室与该第二腔室被该混合结构隔开，其中该混合结构可以是一材料的腹板(w e b ),该材料的腹板具有偏位(ο f f s e t)开口，该偏位开口在流体从该第一腔室移动到该第二腔室时生成紊流。所述两个前驱物递送通口可为TEOS递送通口及氧递送通口，该TEOS递送通口用于递送TEOS，而该氧递送通口用于递送氧及/或NF3 (三氟化氮)或其他清洁剂，其中该TEOS递送通口与氧递送通口被偏位以促进该第一腔室内的紊流式混合。本技术的另一实施例大体上提供一种CVD系统，该系统包含先前所述的混合块件、风扇、与加热器。该风扇经定位以在该混合块件的外部上吹送空气。该加热器缠绕于该混合块件周围，以加热该混合块件。相较于现有技术，本技术提供由单独块体的材料形成的混合块件。该混合块件包含一体成形混合结构，该结构具有第一腔室与第二腔室。该第一腔室与该第二腔室被混合构件隔开，其中该混合构件是该混合块件的单一部件。此外，至少一个通路形成于该混合块件中以用于使冷却流体得以流过该混合块件。据此，本技术的混合块件适合用于通过依所需地加热或冷却混合块件，而在前驱物递送与清洁期间将该混合块件的温度维持在预定范围内。本领域技术人员在阅读随后的优选实施例(说明于随后的图示和图画中)的详细说明后，毫无疑问能明了本技术的宗旨。附图简要说明藉由参考附图中所说明的本技术实施例，可获得于
技术实现思路
中简要总结的本技术的更详细的说明，而能详细得到和了解本技术的上述特征。图1是本文所述的混合块件的一个实施例的概略视图。图2是图1沿线段A-A所取的剖面视图。图3是图1沿线段B-B所取的剖面视图。图4是本文所述的CVD系统的一个实施例的功能方块图。为了助于了解，如可能则使用相同元件符号指定公用于各图的相同元件。应了解一个实施例的元件与特征可有利地结合其他实施例而无须进一步阐述。然而应注意附图仅说明此技术的示范性实施例，而不应将这些附图视为限制本技术的范畴，因为本技术可容许其他等效实施例。详细说明本技术的实施例大体上提供一种用于混合多种前驱物及/或清洁剂的混合块件，该混合块件的优点是维持温度并且改善前驱物、清洁剂、或该二者的混合物的混合效应，以消除基板之间的差异，因而提供改善的工艺均匀性。参考CVD系统(例如PECVD系统)而在下文中说明性地描述本技术，该PECVD系统可购自AKT，AKT是位在美国加州Santa Clara的应用材料公司的子公司。然而，应了解本技术在其他系统配置中具有可用性，这些系统诸如物理气相沉积系统、离子注入系统、蚀刻系统、化学气相沉积系统、以及任何其他需要能够有利维持前驱物温度的混合块件的系统。为了清楚与便于描述起见，在下文中参考图1至图4描述本技术的一个实施例的动作序列。图1是本文所述的混合块件的一个实施例的概略视图。本技术的混合块件I包含一体成形混合结构16、两个前驱物递送通口 12、公共出口通口 14与至少一个通路168。混合块件I的一体成形混合结构16用于混合从前驱物递送通口 12输入的前驱物及/或清洁剂以形成混合物，该混合物于出口通口 14离开混合块件I。大体而言，混合块件I具有主体10，该主体可由单一块件的材料制造，该材料为例如铝或钢之类的金属，这是由于此类金属低制造成本与高热导率之故。可替代性地使用诸如聚合物或陶瓷之类的其他材料。图2是图1沿线段A-A所取的剖面视图。图3是图1沿线段B-B所取的剖面视图。参考图2与图3 二者，一体成形混合结构16用于混合自前驱物递送通口 12输入的前驱物或清洁剂。该一体成形混合结构16具有第一腔室162与第二腔室164。第一腔室162与第二腔室164被混合构件166隔开,该混合构件166与主体10 —体成形(例如，该混合构件为该主体的一部份)。第一腔室162被界定成从前驱物递送通口 12横越到混合构件166的容积。第二腔室164被界定成从共通出口通口 14横越到混合构件166的容积。公共出口通口 14容许混合的前驱物离开第二腔室164。在所说明的实施例中，第一腔室162与第二腔室164可由混合块件I的主体10中的同心钻孔169形成，并且该第一腔室162与第二腔室164可被混合块件I的混合构件166隔开，但不以此为限。该混合构件166是由同心钻孔169的周边形成并且由同心钻孔169的周边延伸的结构，该结构例如为一种材料的腹板。混合构件166具有开口 1662，以在前驱物及/或清洁剂的混合物从第一腔室162移动到第二腔室164的同时生成紊流，而改善了前驱物及/或清洁剂的混合效应。混合构件166是混合块件I的主体10的单一部件，且因而混合构件166易于随混合块件I加热与冷却，以贡献良好的温度控制。一个实施例中，混合构件166的开口 1662可从第一腔室162的中心线偏位，以促进紊流。当前驱物或清洁剂的混合物从第一腔室162流到第二腔室164，可实现前驱物及/或清洁剂的良好混合。开口 1662贯穿混合构件166的两表面，以使前驱物或清洁剂从第一腔室162流到第二腔室164，这些前驱物或清洁剂是诸如TE0S、氧、NF3、或由这些前驱物或清洁剂的流体形成的混合物。前驱物递送通口 12耦接第一腔室162，以分别输入至少一种预定的流体进入第一腔室162。例如，两个前驱物递送通口 12可为TEOS递送通口 1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·李，W·王，W·N·斯特林，S·H·金，崔寿永，朴范洙，B·S·金，王群华，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：