【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于处理硅光子晶片的方法，所述方法包括：接收用于处理的硅光子晶片，其包括有源硅光子层、薄掩埋氧化物层和硅衬底，其中所述薄掩埋氧化物层位于所述有源硅光子层和所述硅衬底之间；接收包括有源电层的电互补金属氧化物半导体晶片；将所述硅光子晶片的所述有源硅光子层倒装芯片接合到所述电互补金属氧化物半导体晶片的所述有源电层；以及从所述硅光子晶片去除所述硅衬底以暴露所述薄掩埋氧化物层的背侧表面。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·E·多安，B·G·李，A·V·雷利亚科夫，C·L·朔，M·A·陶本布拉特，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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