深亚微米级堆叠并联金属/绝缘体/金属结构电容器制造技术

一种深亚微米级堆叠并联ＭｉＭ结构电容器，其具有多层堆叠的ＭｉＭ结构，有多个金属或多晶硅层作为布线层，构成下极板，其上方有导电层构成上极板，各个上极板图案由同一块ＭＭＣ掩模定义，上、下两个平行电极板之间有绝缘电介质，构成单个固定电容器，金属层间的导通孔分别从上、下极板引出连接作为ＭｉＭ结构电容器的两个节点，各布线层之间的单个固定电容器通过布线构成堆叠并联结构电容器。本实用新型专利技术的电容器在同样的布图面积下，电容显著增大，并且不需要额外的掩膜，从而达到节省布局面积的目的。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种深亚微米级堆叠并联金属／绝缘体／金属结构电容器，其特征在于具有多层堆叠的金属／绝缘体／金属结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：夏洪旭，王政烈，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]