一种高频导体及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高频导体及其制造方法，该方法包括如下步骤：S1、用导电浆料在承载片上制作电极图形；S2、利用等离子体对所述电极图形进行清洗，以提高所述电极图形的导电率；S3、经过步骤S2后，对所述承载片上的电极图形进行等静压处理，以降低所述电极图形的趋肤效应电流的损耗。通过使用等离子体对电极图形进行清洗，提升了电极图形的有效电导率，对于因电导率低而导致的不良品的有显著的改善作用；另外，通过对电极图形进行等静压处理，降低了产品在高频下对趋肤效应的电流的输损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高频导体制造方法。
技术介绍
随着技术的发展，业界对射频器件的电性和可靠性能都有更为苛刻的要求，传输损耗更是重中之重。高频传输损耗包括了导体损耗和介电损耗，其中导体损耗取决于导体的表面电阻。目前很多射频导体的表面电阻较大，对高频信号的损耗较大。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提供了一种高频导体及其制造方法，以降低高频导体的表面电阻。一种高频导体制造方法，包括如下步骤：S1、用导电浆料在承载片上制作电极图形；S2、利用等离子体对所述电极图形进行清洗，以提高所述电极图形的导电率；S3、经过步骤S2后，对所述承载片上的电极图形进行等静压处理，以降低所述电极图形的趋肤效应电流的损耗。在一个实施例中，在步骤S2与步骤S1之间还包括如下步骤：S11、在所述承载片除所述电极图形的区域以外覆盖掩膜。在一个实施例中，所述承载片是柔性的承载片。在一个实施例中，所述承载片和掩膜均采用PET。在一个实施例中，在步骤S2中，使用氧等离子体对所述电极图形进行清洗。在一个实施例中，所述步骤S1包括如下步骤：在所述承载片上印刷所述电极图形；对所述电极图形进行烘干。在一个实施例中，所述烘干的温度为80℃。在一个实施例中，所述导电浆料为银浆料。本专利技术还提供了一种高频导体，采用所述的高频导体制造方法制造而成。本专利技术的有益效果是：通过使用等离子体对电极图形进行清洗，提升了电极图形的有效电导率，对于因电导率低而导致的不良品的有显著的改善作用；另外，通过对电极图形进行等静压处理，降低了产品在高频下对趋肤效应的电流的输损耗。【附图说明】图1是本专利技术一种实施例的承载片及电极图形的示意图；图2是本专利技术一种实施例的未经过等静压处理的电极图形的厚度方向的剖面示意图；图3是本专利技术一种实施例的在经过等静压处理的电极图形的厚度方向的剖面示意图；图4是本专利技术一种实施例的未经过等静压处理的电极图形的表面微观图；图5是本专利技术一种实施例的经过等静压处理的电极图形的表面微观图；图6是经过与未经过本专利技术的高频导体制造方法得到的产品电性(插入损耗)对比图。【具体实施方式】以下对专利技术的较佳实施例作进一步详细说明。如图1所示，一种高频导体制造方法，包括如下步骤：S1、用导电浆料在承载片1上制作电极图形2。首先，可以将导电浆料印刷在承载片1上，导电浆料可以采用银浆料。然后，将承载片1上的电极图形2进行烘干，烘干的温度可以为80℃。S2、在所述承载片1除所述电极图形2的区域以外覆盖掩膜。S3、利用等离子体对所述电极图形2进行清洗，以降低所述电极图形2中有机物的比例含量，提高所述电极图形2中金属的比例含量。在电子元件制造领域，电极浆料往往需要加入一些有机物，例如粘合剂、溶剂等等，使的电极浆料具有良好的性能，能够更好地印刷在承载片上，制作得到良好的电极图形。但是，经过研究发现，电极图形中残留的有机物，会导致电极图形中的有机物含量较高，进而导致电极图形的导电率降低。通过上述步骤，等离子体与电极图形2中的有机物产生反应，生成气体溢出电极图形2的表面，从而去除电极图形2中至少部分的有机物，提高了电极图形2中金属的比例含量，提高了电极图形2的导电率。在一个实施例中，可以采用氧等离子体对电极图形2进行处理。具体可以是以氧气作为气源，利用等离子处理仪器，使氧气形成氧等离子而对电极图形2进行清洗处理。具体机理如下：O2+有机物→CO2+H2O即，电极图形2表面进行以化学反应为主的等离子体清洗，通过如上机理，氧等离子体可通过化学反应将非挥发性有机物变成易挥发的CO2和H2O。S3、然后，对所述承载片1上的电极图形2进行等静压处理，以降低所述电极图形的趋肤效应电流的损耗。经过研究发现，印刷的电极图形2内部比较松散，表面粗糙，在高频电路中，由于趋肤效应的存在，电流是沿着导体表面传输的，所以导体表面的平滑程度就直接影响着电流传输过程的损耗，导体表面平滑程度越差，即表面越不平整，毛刺和凹坑越多，这样电流流经这段导体就会经过更多的路程，趋肤效应电流的损耗增加。通过上述步骤S3，电极图形2的结构更加密实，表面更加平滑，在传输高频信号的过程中，电极图形2对趋肤效应的电流的损耗更小。在一个实施例中，所述承载片2可以是有机物材料。这样在步骤S2中如果不采用掩膜，那么步骤S3中的等离子体会腐蚀承载片2。为了保护承载片2需要采用掩膜，掩膜的形状可以与电极图形2的形状互补。掩膜可以采用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜片(Polyethyleneterephathalate，缩略词为PET，简称聚酯)在一个实施例中，所述承载片2可以是柔性的承载片，例如采用PET。在一个实施例中，对经过上述高频导体制造方法进行处理的电极图形2与没有经过上述高频导体制造方法处理的电极图形2(只是在承载片1上印刷出电极图形2)的对比如下表：表1加工前后电极图形表面成分分析表主要元素AgOC加工前含量百分比95.83.21.0加工后含量百分比98.70.80.5表2加工前后电极图形厚度及表面粗糙度由表可知，加工后电极图形表面成分发生了变化，有机物减少，银含量有了提高，同时表面粗糙度要小于未加工，加工后的电极图形2的表面粗糙度可以得到改善，这将使得最终成品的有效电导率提高。如图2所示，未经过等静压处理的电极图形的厚度方向的剖面示意图，由此可见电极图形内部的构成松散、无规律。如图3所示，经过等静压处理的电极图形的厚度方向的剖面示意图，电极图形内部构成紧密、有规律，且厚度比图2小。如图4所示，未经过等静压处理的电极图形的表面微观图，可以看出，表面并不平整，如图5所示，经过等静压处理的电极图形的表面微观图，相比图4，电极图形的表面的平整度得到了较大的提高。如图6所示，某带通滤波器使用与未使用本高频导体制造方法的电性对比图(圆点标示的测试曲线代表此产品经过本方法处理，三角形标示的测试曲线代表此产品未经过本方法处理)数据显示经过本方法处理的产品插入损耗降低0.7dB。以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术所作的进一步详细说明，不能认定本专利技术的具体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频导体制造方法，其特征是，包括如下步骤：S1、用导电浆料在承载片上制作电极图形；S2、利用等离子体对所述电极图形进行清洗，以提高所述电极图形的导电率；S3、经过步骤S2后，对所述承载片上的电极图形进行等静压处理，以降低所述电极图形的趋肤效应电流的损耗。

【技术特征摘要】
1.一种高频导体制造方法，其特征是，包括如下步骤：
S1、用导电浆料在承载片上制作电极图形；
S2、利用等离子体对所述电极图形进行清洗，以提高所述电极图形的
导电率；
S3、经过步骤S2后，对所述承载片上的电极图形进行等静压处理，以
降低所述电极图形的趋肤效应电流的损耗。
2.如权利要求1所述的高频导体制造方法，其特征是，
在步骤S2与步骤S1之间还包括如下步骤：
S11、在所述承载片除所述电极图形的区域以外覆盖掩膜。
3.如权利要求1所述的高频导体制造方法，其特征是，
所述承载片是柔性的承载片。
4.如权利要求1所述的高频导体制造方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志龙，伍隽，庞新锋，苏柯铭，武明阳，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44