【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电磁复合材料制造，特别是涉及一种柔性噪声抑制片。
技术介绍
1、随着智能手机、平板电脑等电子设备的小型化、轻薄化、多功能化的发展，电路基板中电子元件装配密度变高，各部件辐射产生的电磁波噪声会引发电子元件间的电波干扰、磁场耦合等问题，造成电子设备、通信设备误动作。因此，在设备附近安装近场用具有高磁导率、柔性薄膜噪声抑制片可以有效防止电波干扰，抑制辐射出的噪音。但目前的柔性噪声抑制片的磁导率特性较低，有待进一步提高及改善。
2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、为了弥补现有技术的不足，本专利技术提供一种柔性噪声抑制片，能够提高柔性噪声抑制片的磁导率性能，同时实现高柔性与高磁导率。
2、本专利技术采用如下技术方案：
3、一种柔性噪声抑制片，包括叠层在一起的第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层的fe含量大于所述第二磁性层的fe含量。
4、优选地，所述第一磁性层的fe含量比所述第二磁性层的fe含量高7wt％～17wt％。
5、优选地，所述第一磁性层的密度大于所述第二磁性层的密度；优选地，所述第一磁性层的密度为3.3～3.89g/cm3，所述第二磁性层的密度为2.4～3.54g/cm3。
6、优选地，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的软磁合金材料各自独立地为fesial、fesicr和feni
7、优选地，所述第一磁性层中包含如下方案a1～a3中的至少一者的各成分：
8、a1：fe 60.9～73.95wt％、si 5.6～6.8wt％、al 3.5～4.25wt％、c12.9～25.8wt％以及o 2.1～4.9wt％；
9、a2：fe 57.85～69.42wt％、si 3.9～4.68wt％、cr 3.25～3.9wt％、c18.48～29.4wt％以及o 3.52～5.6wt％；
10、a3：fe 29.64～37.44wt％、ni 27.36～34.56wt％、c 21.28～32.68wt％以及o6.44～9.89wt％。
11、优选地，所述第二磁性层中包含如下方案b1～b3中的至少一者的各成分：
12、b1：fe 52.2～67.86wt％、si 4.8～6.24wt％、al 3～3.9wt％、c 18.92～34.4wt％以及o 3.08～5.6wt％；
13、b2：fe 48.95～64.97wt％、si 3.3～4.38wt％、cr 2.75～3.65wt％、c22.68～37.8wt％以及o 4.32～7.2wt％；
14、b3：fe 26～35.36wt％、ni 24～32.64wt％、c 24.32～38wt％以及o7.36～11.5wt％。
15、优选地，所述第一磁性层中的软磁合金材料的d50粒径大于所述第二磁性层中的软磁合金材料的d50粒径。
16、优选地，所述第一磁性层中：当软磁合金材料为fesial时，其d50粒径为75～90μm；当软磁合金材料为fesicr时，其d50粒径为50～58μm；当软磁合金材料为feni时，其d50粒径为67～73μm；
17、所述第二磁性层中：当软磁合金材料为fesial时，其d50粒径为75～80μm；当软磁合金材料为fesicr时，其d50粒径为43～48μm；当软磁合金材料为feni时，其d50粒径为47～53μm。
18、优选地，所述第一磁性层中的软磁合金材料为fesial，所述第一磁性层中包含的各成分为：fe 60.9～73.95wt％、si 5.6～6.8wt％、al 3.5～4.25wt％、c 12.9～25.8wt％以及o 2.1～4.9wt％；所述第二磁性层中的软磁合金材料为fesicr或者fesial，当所述第二磁性层中的软磁合金材料为fesicr时，所述第二磁性层中包含的各成分为：fe 48.95～64.97wt％、si 3.3～4.38wt％、cr 2.75～3.65wt％、c 22.68～37.8wt％以及o 4.32～7.2wt％，当所述第二磁性层中的软磁合金材料为fesial时，所述第二磁性层中包含的各成分为：fe52.2～67.86wt％、si 4.8～6.24wt％、al 3～3.9wt％、c 18.92～34.4wt％以及o3.08～5.6wt％；
19、优选地，所述第一磁性层中的fesial的d50粒径为75～90μm，所述第二磁性层中的fesicr的d50粒径为43～48μm，所述第二磁性层中的fesial的d50粒径为75～80μm。
20、优选地，所述第一磁性层中的软磁合金材料为fesicr，所述第一磁性层中包含的各成分为：fe 57.85～69.42wt％、si 3.9～4.68wt％、cr 3.25～3.9wt％、c 18.48～29.4wt％以及o 3.52～5.6wt％；所述第二磁性层中的软磁合金材料为feni，所述第二磁性层中包含的各成分为：fe 26～35.36wt％、ni24～32.64wt％、c 24.32～38wt％以及o 7.36～11.5wt％。
21、优选地，所述第一磁性层中的fesicr的d50粒径为50～58μm，所述第二磁性层中的feni的d50粒径为47～53μm。
22、本专利技术具有如下有益效果：本专利技术的柔性噪声抑制片利用fe含量不同的软磁合金粉末制成的磁性层进行复合，得到的柔性噪声抑制片具有较高的磁导率实部μ’和较低的磁导率虚部磁损耗μ”，同时具有高柔性和高磁导率。
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1.一种柔性噪声抑制片，其特征在于，包括叠层在一起的第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层的Fe含量大于所述第二磁性层的Fe含量。
2.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层的Fe含量比所述第二磁性层的Fe含量高7wt％～17wt％。
3.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层的密度大于所述第二磁性层的密度；优选地，所述第一磁性层的密度为3.3～3.89g/cm3，所述第二磁性层的密度为2.4～3.54g/cm3。
4.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的软磁合金材料各自独立地为FeSiAl、FeSiCr和FeNi中的至少一种。
5.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层中包含如下方案A1～A3中的至少一者的各成分：
6.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第二磁性层中包含如下方案B1～B3中的至少一者的各成分：
7.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层中的软磁合
8.如权利要求4所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，
9.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层中的软磁合金材料为FeSiAl，所述第一磁性层中包含的各成分为：Fe60.9～73.95wt％、Si 5.6～6.8wt％、Al 3.5～4.25wt％、C 12.9～25.8wt％以及O2.1～4.9wt％；所述第二磁性层中的软磁合金材料为FeSiCr或者FeSiAl，当所述第二磁性层中的软磁合金材料为FeSiCr时，所述第二磁性层中包含的各成分为：Fe 48.95～64.97wt％、Si 3.3～4.38wt％、Cr 2.75～3.65wt％、C22.68～37.8wt％以及O 4.32～7.2wt％，当所述第二磁性层中的软磁合金材料为FeSiAl时，所述第二磁性层中包含的各成分为：Fe 52.2～67.86wt％、Si4.8～6.24wt％、Al 3～3.9wt％、C 18.92～34.4wt％以及O 3.08～5.6wt％；
10.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层中的软磁合金材料为FeSiCr，所述第一磁性层中包含的各成分为：Fe57.85～69.42wt％、Si 3.9～4.68wt％、Cr 3.25～3.9wt％、C 18.48～29.4wt％以及O 3.52～5.6wt％；所述第二磁性层中的软磁合金材料为FeNi，所述第二磁性层中包含的各成分为：Fe 26～35.36wt％、Ni 24～32.64wt％、C 24.32～38wt％以及O 7.36～11.5wt％；
...【技术特征摘要】
1.一种柔性噪声抑制片，其特征在于，包括叠层在一起的第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层的fe含量大于所述第二磁性层的fe含量。
2.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层的fe含量比所述第二磁性层的fe含量高7wt％～17wt％。
3.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层的密度大于所述第二磁性层的密度；优选地，所述第一磁性层的密度为3.3～3.89g/cm3，所述第二磁性层的密度为2.4～3.54g/cm3。
4.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的软磁合金材料各自独立地为fesial、fesicr和feni中的至少一种。
5.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层中包含如下方案a1～a3中的至少一者的各成分：
6.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第二磁性层中包含如下方案b1～b3中的至少一者的各成分：
7.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层中的软磁合金材料的d50粒径大于所述第二磁性层中的软磁合金材料的d50粒径。
8.如权利要求4所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，
9.如权利要求1所述的柔性噪声抑制片，其特征在于，所述第一磁性层中的软磁合金材料为...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂敏，程小里，韦建良，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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