【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及无线高速传输领域，特别是涉及一种超宽带陷波天线。
技术介绍
1、ltcc(low-temperature cofired ceramics)技术即低温共烧陶瓷技术，用来制作高精度无源集成元件，如滤波器、双工器、巴伦、天线、耦合器等。相比于目前市场上其他的主流工艺，如硅片半导体工艺(integrated passive device，ipd)、声表面波工艺(surfaceacoustic wave，saw)等，ltcc工艺具有高频特性好、设计灵活、制程工艺可控、可适应大电流和耐高温等优良特性。
2、超宽带(ultra-wideband,uwb)技术主要用于短距离的无线高速传输场合，其具有传输速率高、时延低、带宽大、发射功率低等优点；uwb天线的频率范围为3.1～10.6ghz，而频带内的无线城域网(world interoperability for microwave access，wimax，3.3～3.79ghz，5.25～5.85ghz)和无线局域网(wireless local area networks,wlan,5.15～5.825ghz)会相互干扰；为了避免多个频段之间的相互干扰，需要在超宽带天线上引入多陷波特性。目前，基于ltcc技术的超宽带天线已经在市场上有所应用，但是未引入多陷波功能，不能避免多频段之间的相互干扰。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于解决多频段之间的相互干扰的技术问题，提出一种超宽带陷波天线。
2、本专利
3、一种超宽带陷波天线，包括天线磁体、天线辐射电极和引出端电极，所述天线辐射电极和所述引出端电极分别设置在所述天线磁体的上下区域，所述天线磁体上设置有通孔，所述天线辐射电极通过所述通孔与所述引出端电极相连。
4、在一些实施例中，所述天线辐射电极的一端连接至馈电引脚，所述引出端电极靠近所述天线辐射电极的另一端设置，优选地，所述引出端电极为u形，且开口方向朝所述天线磁体的外侧。
5、在一些实施例中，所述天线磁体的端部设置有至少两个空置引脚，所述引出端电极的两端分别与两个空置引脚相连。
6、在一些实施例中，所述天线辐射电极、所述通孔和所述引出端电极关于同一中轴对称。
7、在一些实施例中，所述天线辐射电极包括矩形贴片，所述矩形贴片上设置有弯折槽，所述弯折槽为朝所述天线磁体的外侧具有缺口的口字形，在所述缺口处，所述弯折槽的两条断道向所述口字形内部垂直弯折并延伸。
8、在一些实施例中，所述天线辐射电极还包括梯形枝节，所述梯形枝节的下底与所述矩形贴片相连，所述梯形枝节的上底连接馈电引脚。
9、在一些实施例中，所述梯形枝节的下底长度大于上底长度的3倍。
10、在一些实施例中，还包括介质基板，所述介质基板上设置有净空面、地板和信号传输线，所述天线磁体设置在所述介质基板的净空面上，所述天线磁体上设置有馈电引脚和接地引脚，所述馈电引脚与所述信号传输线相连，所述接地引脚与所述地板相连。
11、在一些实施例中，所述天线磁体为公制10060尺寸，长宽高的标准值为10mm*6mm*1.2mm，其中长的范围为10±0.3mm，宽的范围为6±0.3mm，高的范围为1.2±0.2mm。
12、在一些实施例中，为基于低温共烧陶瓷的ltcc天线。
13、本专利技术与现有技术对比的有益效果包括：
14、本专利技术提出的超宽带陷波天线通过将天线辐射电极和引出端电极分别设置在天线磁体的上下区域，天线辐射电极通过通孔与引出端电极相连，能够增加5.5ghz中心频率处的wimax和wlan频段的陷波特性，优选地还可在天线辐射电极表面刻蚀有弯折槽，使天线在3.5ghz中心频率处产生陷波特性，最终使该超宽带陷波天线在uwb频段通信时可以使3.5ghz中心频率处的wimax频段和5.5ghz中心频率处的wimax频段和wlan频段互不干扰。
15、本专利技术实施例中的其他有益效果将在下文中进一步述及。
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1.一种超宽带陷波天线，其特征在于，包括天线磁体、天线辐射电极和引出端电极，所述天线辐射电极和所述引出端电极分别设置在所述天线磁体的上下区域，所述天线磁体上设置有通孔，所述天线辐射电极通过所述通孔与所述引出端电极相连。
2.如权利要求1所述超宽带陷波天线，其特征在于，所述天线辐射电极的一端连接至馈电引脚，所述引出端电极靠近所述天线辐射电极的另一端设置，优选地，所述引出端电极为U形，且开口方向朝所述天线磁体的外侧。
3.如权利要求2所述超宽带陷波天线，其特征在于，所述天线磁体的端部设置有至少两个空置引脚，所述引出端电极的两端分别与两个空置引脚相连。
4.如权利要求1至3任一项所述超宽带陷波天线，其特征在于，所述天线辐射电极、所述通孔和所述引出端电极关于同一中轴对称。
5.如权利要求1至4任一项所述超宽带陷波天线，其特征在于，所述天线辐射电极包括矩形贴片，所述矩形贴片上设置有弯折槽，所述弯折槽为朝所述天线磁体的外侧具有缺口的口字形，在所述缺口处，所述弯折槽的两条断道向所述口字形内部垂直弯折并延伸。
6.如权利要求5所述超宽带
7.如权利要求6所述超宽带陷波天线，其特征在于，所述梯形枝节的下底长度大于上底长度的3倍。
8.如权利要求1至7任一项所述超宽带陷波天线，其特征在于，还包括介质基板，所述介质基板上设置有净空面、地板和信号传输线，所述天线磁体设置在所述介质基板的净空面上，所述天线磁体上设置有馈电引脚和接地引脚，所述馈电引脚与所述信号传输线相连，所述接地引脚与所述地板相连。
9.如权利要求1至8任一项所述超宽带陷波天线，其特征在于，所述天线磁体为公制10060尺寸，长宽高的标准值为10mm*6mm*1.2mm，其中长的范围为10±0.3mm，宽的范围为6±0.3mm，高的范围为1.2±0.2mm。
10.如权利要求1至9任一项所述超宽带陷波天线，其特征在于，为基于低温共烧陶瓷的LTCC天线。
...【技术特征摘要】
1.一种超宽带陷波天线，其特征在于，包括天线磁体、天线辐射电极和引出端电极，所述天线辐射电极和所述引出端电极分别设置在所述天线磁体的上下区域，所述天线磁体上设置有通孔，所述天线辐射电极通过所述通孔与所述引出端电极相连。
2.如权利要求1所述超宽带陷波天线，其特征在于，所述天线辐射电极的一端连接至馈电引脚，所述引出端电极靠近所述天线辐射电极的另一端设置，优选地，所述引出端电极为u形，且开口方向朝所述天线磁体的外侧。
3.如权利要求2所述超宽带陷波天线，其特征在于，所述天线磁体的端部设置有至少两个空置引脚，所述引出端电极的两端分别与两个空置引脚相连。
4.如权利要求1至3任一项所述超宽带陷波天线，其特征在于，所述天线辐射电极、所述通孔和所述引出端电极关于同一中轴对称。
5.如权利要求1至4任一项所述超宽带陷波天线，其特征在于，所述天线辐射电极包括矩形贴片，所述矩形贴片上设置有弯折槽，所述弯折槽为朝所述天线磁体的外侧具有缺口的口字形，在所述缺口处，所述弯折槽的两条断道向...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘震龙，李耀光，王清华，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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