【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子元件领域，具体涉及一种叠层片式元器件及制造方法。
技术介绍
1、低温共烧叠层片式元器件在形成内部线条图案之后，还需要通过沾端形成外部焊盘，然后在端电极表面电镀形成镀层以具备焊接性，便于后续smt(surface mounttechnology，表面贴装技术)。为了降低端电极与内电极的接触电阻，普遍采用高温烧结端浆，烧结温度普遍在600℃以上。一般而言，端浆主要成分包含金属粉，玻璃粉，有机载体三部分，添加玻璃粉主要为了确保端浆烧结后与瓷体有足够的附着力，以及烧结时润湿金属粉促进致密化。有机载体包含树脂和溶剂，用来调整浆料流变特性和剪切特性保证金属粉和玻璃粉在浆料中均匀分布。由于瓷体在前一工序已经完成烧结收缩，烧端时瓷体并不会随着端浆一起收缩，此时产生的收缩应力可能会导致瓷体形成月牙状弯曲裂纹。
2、现有技术中，一些方案通过掺杂提高瓷体抗弯强度减少裂纹产生，但是会对材料性能产生影响，比如铁氧体材料中加入氧化镁等添加物，磁导率会降低，导致最终产品性能下降或是为实现相同性能牺牲成本；还有一些技术通过减薄产品端头沾银厚度，从而降低收缩应力。一般而言沾端后端浆在产品端头呈现中间厚四周薄的分布特征，可通过沾端工艺控制来减少厚度极差。具体而言是通过多次回沾利用浆盘上的端浆带走产品顶部多余端浆，再辅以产品端头在浆盘底部平移等方式来实现减薄，但是此方案对产品尺寸一致性要求过高。为了保证大部分产品沾端效果，需要根据产品长度平均值来设定沾端参数，如果产品长度尺寸偏短会导致回沾及平移失效。此部分产品端头沾端厚度未得到减薄，烧
技术实现思路
1、为解决现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种叠层片式元器件及制造方法，通过控制瓷体的形状特性，解决烧端时瓷体顶部出现裂纹的问题，提升产品的质量。
2、为实现上述目的，本专利技术采用如下方案：
3、本专利技术提供一种叠层片式元器件，包括瓷体和覆盖在瓷体沿长度方向的两端的端面的金属层，其中，所述金属层覆盖所述瓷体的端面处的厚度与覆盖所述端面棱角处的厚度的比值为1:1～10:1；所述瓷体为长方体，所述瓷体的两个所述端面的棱角均做圆滑倒角处理。
4、进一步地，所述瓷体沿长宽方向截面的平均倒角度为瓷体宽度的10％～20％。
5、进一步地，所述瓷体的材料由fe、ni、zn、cu、mn、ni、co、al中的至少两种氧化物组成；所述金属层的材料由ag、cu、pd、ni中至少一种元素组成。
6、进一步地，所述瓷体的材料由fe、ni、zn、cu的氧化物组成。
7、进一步地，所述瓷体的所有棱角均做圆滑倒角处理。
8、进一步地，所述磁体内形成有内电极，所述内电极与所述金属层电性连接。
9、本专利技术还提供一种叠层片式元器件制造方法，包括以下步骤：
10、s1：在pet膜上经过流延形成陶瓷生带，经过切割形成单层生带；
11、s2：在生带上打孔作为上下连接；
12、s3：将导电电极材料覆盖在陶瓷生带上形成内电极；
13、s4：进行叠层工序，逐层进行陶瓷生带与电极堆叠，形成bar块；
14、s5：对所述bar块进行温水压、切割，排胶，烧结，形成长方体瓷体；
15、s6：通过倒角使瓷体棱角圆滑，控制倒角时间和转速使平均倒角度在瓷体宽度的10％～20％之间；
16、s7：对倒角后的所述瓷体进行沾端、烧端工艺，形成外电极，然后通过电镀工序制作单颗产品；
17、s8：测试包装，将合格产品编入塑带或纸带孔中，并卷绕成盘。
18、进一步地，步骤s1中，陶瓷生带的材料由fe、ni、zn、cu、mn、ni、co、al中的至少一种氧化物组成；步骤s7中，沾端使用的浆料由ag、cu、pd、ni中至少一种元素组成。
19、本专利技术的有益效果是：
20、本专利技术提供一种叠层片式元器件，通过控制瓷体顶部和棱角处金属层厚度差异，能够显著降低烧端应力，辅以增加瓷体倒角度，可以使瓷体过度更平滑，避免应力集中形成瓷体裂纹。当顶部金属层厚度和棱角金属层厚度比值在1:1～10:1之间效果最好，比值越接近1则各处厚度一致性更好应力越分散，比值超过10则会存在应力集中在顶部瓷体部位从而导致裂纹风险。
21、在一些实施例中，平均倒角度r在瓷体宽度w的10％～20％之间时效果最好，应力分布最均匀且不会带来如编带时倾斜翻转等问题，倒角度在瓷体宽度10％以上时可以有效分散烧端时收缩应力避免瓷体开裂，而倒角度在产品宽度20％以下时可以保证产品在编带时不产生倾斜翻转。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种叠层片式元器件，其特征在于，包括瓷体和覆盖在瓷体沿长度方向的两端的端面的金属层，其中，所述金属层覆盖所述瓷体的端面处的厚度与覆盖所述端面棱角处的厚度的比值为1:1～10:1；所述瓷体为长方体，所述瓷体的两个所述端面的棱角均做圆滑倒角处理。
2.根据权利要求1所述的叠层片式元器件，其特征在于，所述瓷体沿长宽方向截面的平均倒角度为瓷体宽度的10％～20％。
3.根据权利要求1所述的叠层片式元器件，其特征在于，所述瓷体的材料由Fe、Ni、Zn、Cu、Mn、Ni、Co、Al中的至少两种氧化物组成；所述金属层的材料由Ag、Cu、Pd、Ni中至少一种元素组成。
4.根据权利要求3所述的层叠片式元器件，其特征在于，所述瓷体的材料由Fe、Ni、Zn、Cu的氧化物组成。
5.根据权利要求1所述的层叠片式元器件，其特征在于，所述瓷体的所有棱角均做圆滑倒角处理。
6.根据权利要求1所述的层叠片式元器件，其特征在于，所述磁体内形成有内电极，所述内电极与所述金属层电性连接。
7.一种叠层片式元器件制造方法，其特征在于，包括以下
8.根据权利要求7所述的叠层片式元器件制造方法，其特征在于，步骤S1中，陶瓷生带的材料由Fe、Ni、Zn、Cu、Mn、Ni、Co、Al中的至少一种氧化物组成；步骤S7中，沾端使用的浆料由Ag、Cu、Pd、Ni中至少一种元素组成。
...【技术特征摘要】
1.一种叠层片式元器件，其特征在于，包括瓷体和覆盖在瓷体沿长度方向的两端的端面的金属层，其中，所述金属层覆盖所述瓷体的端面处的厚度与覆盖所述端面棱角处的厚度的比值为1:1～10:1；所述瓷体为长方体，所述瓷体的两个所述端面的棱角均做圆滑倒角处理。
2.根据权利要求1所述的叠层片式元器件，其特征在于，所述瓷体沿长宽方向截面的平均倒角度为瓷体宽度的10％～20％。
3.根据权利要求1所述的叠层片式元器件，其特征在于，所述瓷体的材料由fe、ni、zn、cu、mn、ni、co、al中的至少两种氧化物组成；所述金属层的材料由ag、cu、pd、ni中至少一种元素组成。
4.根据权利要求3所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜雄峰，王文杰，刘旭，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。