提高平板电容容量的电容结构制造技术

本发明专利技术公开了一种提高平板电容容量的电容结构，包括：第一极板、第二极板和第一绝缘层，所述第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开，且所述第一绝缘层位于第一极板上，所述第二极板位于第一绝缘层上，它还包括：设置在第二极板上的第二绝缘层；设置在第二绝缘层上的第三极板。本发明专利技术的提高平板电容容量的电容结构能在原有ＰＩＰ结构基础上将有效电容增加约一倍。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造
，尤其涉及一种能提高平板电容 容量的新型电容结构。
技术介绍
目前使用的平板电容PIP (或MIM)结构如附图1 ,它仍旧以工艺简 单在Logic器件中广泛使用。随着半导体芯片的集成度越来越高，必定要 求Gate (栅极)和Capacitance (电容)的尺度也越来越精细。如果电容 依旧维持这种简便工艺结构，电容的大小将达不到设计要求。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种在原有 PIP结构基础上只增加两步CVD (化学汽相沉积)，就可有效增加电容容量 的电容结构。为了解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案 一种提高平板电容容量的电容结构，包括第一极板、第二极板和第 一绝缘层，所述第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开，且所述第一绝缘 层位于第一极板上，所述第二极板位于第一绝缘层上，它还包括a. 设置在第二极板上的第二绝缘层；b. 设置在第二绝缘层上的第三极板。由于采用上述技术方案，本专利技术的提高平板电容容量的电容结构能将有效电容增加约一倍。 附图说明图1是现有平板电容PIP结构示意图2是本专利技术的电容和栅极结构的剖面示意图3是本专利技术的电容结构的俯视图4是制造本专利技术电容结构的步骤示意图。具体实施例方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步详细说明。 如图2、 3所示，本专利技术的提高平板电容容量的电容结构，包括第 一极板(Polyl)、第二极板(Poly2)和第一绝缘层(Isolationl)，所述 第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开，且所述第一绝缘层位于第一极板 上，所述第二极板位于第一绝缘层上，它还包括设置在第二极板上的第 二绝缘层(Isolation2);设置在第二绝缘层上的第三极板(Poly3)。所 述第一极板、第二极板和第三极板由多晶硅制成。再利用两步光刻和刻蚀 形成电容和栅极(Gate),所述第三极板与第二极板形成一个新的电容， 且该电容和原先第一极板与第二极板的电容并联。图4为制造本专利技术的提高平板电容容量的电容结构的步骤示意图，首 先在氧化层(Field Oxide)上依次生长第一极板(Polyl)、第一绝缘层 (Isolationl)、第二极板(Poly2)、第二绝缘层(Isolation2)及第三 极板(Poly3)(见图4.1)，再通过第一步光刻和刻蚀形成Poly3和Poly2 结合的上方结构(见图4.2)，然后利用第二步光刻和刻蚀使Polyl成为 下极板，并形成栅极，同时在Poly2上产生接触孔(Contact window)(见 图4. 3)。接着，在Polyl、 Poly2和Poly3之间用金属连线组成两个并联电容。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高平板电容容量的电容结构，包括：第一极板、第二极板和第一绝缘层，所述第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开，且所述第一绝缘层位于第一极板上，所述第二极板位于第一绝缘层上，其特征在于，它还包括：ａ．设置在第二极板上的第二绝缘层；ｂ．设置在第二绝缘层上的第三极板。

【技术特征摘要】
1.一种提高平板电容容量的电容结构，包括第一极板、第二极板和第一绝缘层，所述第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开，且所述第一绝缘层位于第一极板上，所述第二极板位于第一绝缘层上，其特征在于，它还包括a.设置在第二极板上的第二绝缘层；b.设置在第二绝缘层上的第三极板。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：周雷萍，王勤，岩垂史，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]