双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法技术

一种有机电致发光器件，包括：在包含像素区域的基板上彼此相连的开关元件和驱动元件；在开关元件和驱动元件上的平坦化层，该平坦化层具有基本上平坦的顶面；平坦化层上的阴极，该阴极与驱动元件相连；阴极上的发射层；和发射层上的阳极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机电致发光器件(OELD)，尤其涉及一种顶部发射型 OELD。
技术介绍
一般地，OELD器件通过将来自阴极的电子和来自阳极的空穴注入发射层 中、电子与空穴复合、产生激子并激子从激发态跃迁到基态而发射光。因为在 OLED器件中由于激子在两个态之间跃迁导致了发射光，所以与液晶显示 (LCD)器件相比，OELD器件不需要额外的光源。因此，OELD的尺寸和重 量小于LCD器件。OELD具有优秀的特性，如低能耗、高亮度、和快响应时间。因而OELD 被视为用于下一代消费电子产品，如便携式电话、汽车导航系统(CNS)、个 人数字助理(PDA)、便携式摄像机、掌上型计算机等的优选显示器。此外， 因为可以以较少处理步骤来制造有机ELD，所以可以比LCD器件更便宜地制 造OELD。此外，两种类型的OELD是无源矩阵OELD和有源矩阵OELD。尽管无 源和有源矩阵OELD两个都具有简单的结构且可由简单的制造工序来形成， 但无源矩阵OELD需要相对大量的电力来工作。此外，无源矩阵OELD的显 示尺寸受到结构中所使用的导线宽度和厚度的限制。此外，随着导线数量增加， 无源矩阵OELD的孔径比下降。相反，有源矩阵OELD效率高，且可以用相对低的电力在较大的显示器上产生高质量图像。现在转向图1,其是依照相关技术的OELD1的示意性横截面图。如图所 示，OELD1包括彼此面对且分开的第一和第二基板12和28。还包括形成在第一基板12上的阵列元件层14。如图所示，阵列元件层14包括薄膜晶体管T。尽管没有示出，但阵列元件层14还包括栅线、与栅线交叉以限定像素 区域P的数据线、和与栅线和数据线之一交叉的电源线。此外，OELDl还 包括阵列元件层14上的第一电极16、第一电极16上的有机电致发光(EL) 层18、和有机EL层18上的第二电极20。此外，第一电极16与薄膜晶体管 T相连。这里，有机EL层18包括位于在像素区域P中的红色(R)、 绿色(G)和蓝色(B)子有机EL层。此外，第二基板28用作具有凹入部分21的封装面板。在凹入部分21中 封装有干燥剂22以保护0ELD1免于湿气影响，并且千燥剂22通过保持元件 25固定。此外，在第一和第二基板12和28之间外围处形成有密封图案26， 从而将第一和第二基板12和28彼此粘结。接下来，图2是相关技术OELD的等效电路图。如图2中所示，形成在 基板32上的栅线42和与栅线42交叉的数据线44限定了像素区域P。还包 括与栅线42分开平行且与数据线44交叉的电源线55。此外，在靠近栅线和数据线42和44交叉的区域中，开关元件Ts与栅 线和数据线42和44相连，驱动元件TD与开关元件Ts相连。例如，图 2中的驱动元件TD是正型薄膜晶体管。此外，在开关元件Ts和驱动元 件TD，，之间形成有存储电容器Cst。此外，驱动元件V，的漏极63与 有机EL 二极管E的第一电极(没有示出)相连。此外，驱动元件TD 的源极66与电源线55相连，栅极68与电容器Cst和开关元件Ts相连。下面，将详细解释OELD的工作原理。当给开关元件Ts的栅极46施 加栅信号时，施加给数据线44的电流信号通过开关元件Ts变为电压信号 并施加给驱动元件TD的栅极68。因此，驱动元件TD被驱动且确定了施加给有机EL 二极管E的电 流金，从而有机EL二极管E可显示灰度级。此外，因为存储电容器Cst 中的信号用于保持驱动元件TD栅极68的信号，所以即使开关元件Ts 处于截止状态，施加给EL 二极管的电流仍可一直保持到施加下一个信号。接下来，图3是相关技术OELD中一个像素的示意性平面图。如图所示， 在像素区域P中基板32上形成有开关元件Ts、与开关元件Ts相连 的驱动元件TD和存储电容器Cst。可选择地，根据其工作特性，可在像素区域P中可形成多个开关元件TS和驱动元件Tu。此外，基板32包括透明绝缘基板，如玻璃或塑料基板。在基板32上形成 有栅线42，且数据线44与栅线42交叉从而限定了像素区域P。此外，在 该例子中，电源线55平行于数据线44。此夕卜，开关元件Ts包括与第一栅线42相连的栅极46、在第一栅极46 上方的第一半导体层50、与数据线44相连的第一源极56、和与第一源极56 分开的第一漏极60。驱动元件TD包括与漏极60相连的第二栅极68、在第 二栅极68上方的第二半导体层62、与电源线55相连的第二源极66、以及第 二漏极63。具体地说，第一漏极60和栅极68通过绝缘材料层(没有示出) 的接触孔64彼此相连。此外，在像素区域P中第一电极36与第一漏极63相连。尽管没有示 出，但存储电容器Cst包括掺杂硅的第一存储电极、占据一部分电源线55 的第二存储电极、和在第一与第二存储电极之间的绝缘材料层(没有示出)。图4是沿图3中的线IV-IV提取的相关技术OELD的示意性横截面图。 在图4中，在基板32上形成有第二半导体层62，在第二半导体层62上形成 有栅绝缘层GT，在第二半导体层62上方的栅绝缘层GT上形成有栅极 68，在栅极68上形成有层间绝缘层IL，其包括暴露第二半导体层62两个 端部的第一和第二接触孔C1和C2。在层间绝缘层IL上形成有源极 和漏极66和63，源极和漏极66和63通过第一和第二接触孔C1和C2 与第二半导体层62相连。在第二源极和漏极66和63上还形成有钝化层67，钝化层67包括暴露一 部分漏极63的漏极接触孔C3。第一电极36通过漏极接触孔C3与漏极 63相连，在第一电极36上形成有有机EL层38，在有机EL层38上形成有第 二电极80。第一电极36、有机EL层38和第二电极80组成了有机EL 二极管 E。此外，驱动元件TD是负型TFT，第一电极36和第二电极80分别 是阴极和阳极。可选择地，驱动元件TV'是正型TFT，第一电极36和第二 电极80分别是阳极和阴极。此外，存储电容器Cst和驱动元件TD以行设置。这里，源极66与 第二存储电极相连，第一存储电极35设置在第二存储电极34下方。图5是相关技术发射区域的示意性横截面图。在图5中，OELD1的发射 区域包括基板32上的阳极36、阳极36上的空穴注入层38a、空穴注入层38a 上的空穴传输层38b、空穴传输层38b上的发射层38c、发射层38c上的电子 传输层38d、电子传输层38d上的电子注入层38e、和电子注入层38e上的阴 极80。这些层顺序地层叠在阳极36上。此外，空穴传输层38b和电子传输层38d用于将空穴和电子传输到发射层 38c，以提高发射效率。此夕卜，在阳极36和空穴传输层38b之间的空穴注入层 38a用于减小空穴注入能，在阴极80与电子传输层38d之间的电子注入层38e 用于减小电子注入能，由此提高发射效率并减小OELD的驱动电压。此外，阴极80由包括^ (Ca)、铝(Al)、铝合金、镁(Mg)、银(Ag) 和锂(Li)的材料形成。此外，阳极36包括透明导电材料，如铟锡氧化物(ITO)。 因而，因为通过溅射沉积由透明导电材料，如ITO形成的阳极36，所以会损 坏阳极36下面的层。因此，为了防止损坏发射层38，阳极36不形成在发射 层38上方。因此，当来自发射层38的光向着形成在发射层38下方的阳极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括：　　　　在包含像素区域的基板上彼此相连的开关元件和驱动元件；　　　　在开关元件和驱动元件上的平坦化层，该平坦化层具有基本上平坦的顶面；　　　　平坦化层上的阴极，该阴极与驱动元件相连；　　　　阴极上的发射层；以及　　　　发射层上的阳极。

【技术特征摘要】
KR 2006-6-29 10-2006-00593501.一种有机电致发光器件，包括在包含像素区域的基板上彼此相连的开关元件和驱动元件；在开关元件和驱动元件上的平坦化层，该平坦化层具有基本上平坦的顶面；平坦化层上的阴极，该阴极与驱动元件相连；阴极上的发射层；以及发射层上的阳极。2. 根据权利要求1所述的器件，其特征在于，阳极包括铟锡氧化物ITO 和铟锌氧化物IZO中之一。3. 根据权利要求1所述的器件，其特征在于，阴极包括钙Ca，铝Al， 铝合金，镁Mg，银Ag和锂Li中之一。4. 根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括阴极上的电子注入 层、电子注入层上的电子传输层、发射层上的空穴传输层、空穴传输层上的空 穴注入层、和空穴注入层上的缓冲层。5. 根据权利要求4所述的器件，其特征在于，缓冲层选自有机单分子材 料和氧化物中的一种，其中有机单分子材料具有结晶性，氧化物包括五氧化二 钒丫205。6. 根据权利要求5所述的器件，其特征在于，有机单分子材料包括铜酞 菁CuPc。7. 根据权利要求1所述的器件，其特征在于，驱动元件是负型薄膜晶体 管，其包括第一栅极、对应于第一栅极的第一半导体层、第一源极、和与第一 源极分开的第一漏极，其中第一源极和第一漏极与第一半导体层的端部相连。8. 根据权利要求7所述的器件，其特征在于，第一漏极与阴极相连。9. 根据权利要求7所述的器件，其特征在于，第一源极具有U形， 第一漏极具有棒形，第一漏极的一部分设置在第一源极中并与第一源极分开。10. 根据权利要求7所述的器件，其特征在于，第一源极具有环形，第一漏极具有圆形，第一漏极设置在第一源极中并与第一源极分开。11. 根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括与开关元件相连并 彼此交叉限定像素区域的栅线和数据线以及与栅线和数据线之一交叉的电源 线。12. 根据权利要求11所述的器件，其特征在于，在栅线、数据线和电源 线端部分别包括栅焊盘、数据焊盘和电源焊盘。13. 根据权利要求11所述的器件，其特征在于，开关元件包括与栅线相 连的第二栅极、对应于第二栅极的第二半导体层、与数据线相连的第二源极、 和与第二源极分开的第二漏极，其中第二源极和第二漏极与第二半导体层的端 部相连。14. 根据权利要求13所述的器件，其特征在于，还包括存储电容器，该 存储电容器包括与电源线相连的第一存储电极、与第二漏极相连的第二存储电 极、和在第一和第二存储电极之间的绝缘层。15. 根据权利要求1所述的器件，其特征在于，平坦化层包括有机绝缘材料。16. 根据权利要求15所述的器件，其特征在于，平坦化层包括苯并环丁 烯BCB和丙烯酸树脂。17. 根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括在平坦化层与开关 元件之间以及平坦化层与驱动元件之间的无机绝缘材料的钝化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴宰希，朴冏敏，李锡宗，
申请(专利权)人：LG菲利浦LCD株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]