【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2007年1月15日提交的第10-2007-0004437号韩国专利 申请的优先权和利益，该申请的全部内容通过引用包含于此。
本领域涉及，更具体地讲，涉及包 括保护电路的，其中，所述保护电路用 于防止有机发光二极管显示器中包括的像素和驱动器由于静电放电而受到损 坏。
技术介绍
有机发光二极管显示器是使用有机发光器件(OLED)的平板显示器之 一，其中，OLED通过复合阴极提供的电子和阳极提供的空穴来发光。这种 有机发光二极管显示器的优点在于厚度薄、视角宽、响应非常快。有机发光二极管显示器根据驱动方法分为无源矩阵显示器和有源矩阵显 示器。无源矩阵法是一种在基底上垂直地形成阴极和阳极，选择行(line)， 从而驱动二极管的方法。相反，有源矩阵法是一种通过利用在各像素中形成 的薄膜晶体管(TFT)向有机发光器件(OLED)提供与数据信号对应的驱动 电流，通过驱动电流从有机发光器件(OLED)发光，从而显示图像的方法， 与无源矩阵法相比，由于亮度稳定，所以功耗低。因此，优势在于对高分辨 率和大显示器的应用非常有利。传统的有机发光二极管显示器包括像素区和非像素区...
【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，包括： 基底，包括像素区和非像素区； 静电放电电路，形成在所述基底的所述非像素区中。
【技术特征摘要】
KR 2007-1-15 10-2007-00044371. 一种有机发光二极管显示器，包括基底，包括像素区和非像素区；静电放电电路，形成在所述基底的所述非像素区中。2、 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放电 电^各包才舌半导体层，形成在所述基底上； 栅极绝缘层，形成在所述半导体层上； 栅电极，形成在所述栅极绝缘层上； 层间介电层，形成在所述栅电极上； 源/漏电极，形成在所述层间介电层上。3、 根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述源/漏电 极与所述栅电极在水平方向上间隔大约ljim至大约10pn。4、 根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述非像素区 还包括至少一个驱动器，构造为驱动所述像素区的像素；焊盘单元，构造为将所述像素和所述驱动器电连接到外部模块。5、 根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述焊盘单元 沿所述基底的至少一个边缘区域形成。6、 根据权利要求5所迷的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放电 电路沿所述基底的另 一 边缘区域形成。7、 根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放电 电路沿所述基底的各边缘区域单独地形成。8、 根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放电 电路沿所述基底的边缘区域一体地形成。9、 根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述栅电极连 接到形成在所述焊盘单元上的接地焊盘。10、 根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放 电电路还包括形成在所述基底和所述半导体层之间的緩冲层。11、 根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放电电路还包括所述源/漏电极上的保护层。12、 根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放 电电路还包括导电接触件，用于将所述源/漏电极与所述半导体层电连接。13、 根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放 电电路还包括形成在所述保护层上的电极层。14、 根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中，所述电极层通过导电通孔连接到所述源/漏电极。15、 一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括 在基底上确定像素区和非像素区； 在所述像素区和所述非像素区的每个上形成半导体层； 在所述像素区和所述非像素区...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑先伊，崔雄植，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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