一种SiCOH薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种SiCOH薄膜及其制备方法。本发明专利技术以[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷为前驱体，采用溶胶、凝胶工艺制备SiCOH薄膜，所得薄膜介电常数为3.8-4.1，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为10-5~10-7A/cm2数量级，杨氏模量为4.82GPa，硬度为1.11GPa。该SiCOH薄膜具有合适的介电常数，且该薄膜热稳定性突出，力学性能良好。该绝缘介质薄膜在超大规模集成电路后端互连中，可以用于多孔介电层与帽层或扩散阻挡层之间，起到提高粘结强度以及密封多孔介电层孔结构的作用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种SiCOH薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤如下：（1）将前驱体、成孔剂、催化剂、H2O，以及溶剂混合，在40?80℃下搅拌0.5?10小时，得到透明成膜液；其中，前驱体为三甲氧基[2?(7?氧杂二环[4.1.0]庚?3?基)乙基]硅烷，成孔剂为P123，催化剂为HCl，溶剂为乙醇；（2）在16~40℃下，将上述成膜液旋涂成厚度为200?500nm的薄膜，旋涂速率为2500?4000rpm转/分钟，旋转时间为25?50秒；薄膜静置10?60分钟，然后移入40?80℃烘箱陈化10?80小时；（3）将陈化后的薄膜在250?500℃的氮气或N2/H2混合气气氛中退火1?10小时。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁士进，丁子君，谭再上，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：