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本发明涉及使用通过衬底去除或者转移的标准绝缘体上硅工艺的硅光子晶片。提供了用于硅光子晶片的处理。接收包括有源硅光子层、薄掩埋氧化物层和硅衬底的硅光子晶片。薄掩埋氧化物层位于有源硅光子层和硅衬底之间。包括有源电层的电CMOS晶片同样被接收。硅...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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