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低输入电容功率半导体场效应晶体管，属于半导体器件技术领域，为解决现有技术中MOSFET器件结构会出现米勒电容效应的问题，本实用新型为：低输入电容功率半导体场效应晶体管，其特征是，半导体场效应器件的多晶硅栅在JFET区两侧边缘处断开，形成两侧...
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