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晶界层和表面层陶瓷电容器的半导化烧结方法技术
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文档序号:3121796
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本发明属Ⅲ型陶瓷电容器生产中关键工艺之一的半导化烧结及处理方法,其特征是采用高温和触媒作用下得到的氨分解产物一氮氢混合气体替代原来的高纯氮气加高纯氢气作为半导化烧结所需的还原气氛;并在窑炉进出口端形成火帘密封,防止空气进入窑炉,从而使半导化...
该专利属于电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学授权不得商用。
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