一种去除半导体零件表面污染物的方法技术

一种去除半导体零件表面污染物的方法，包括如下步骤：将初步擦拭后的半导体零件，用去离子水冲洗５～１０分钟，在ＮＨ↓［４］ＯＨ∶ＴＭＡＨ为１００∶１的１～５％水溶液中超声清洗１０～３０分钟，擦拭，用去离子水冲洗５～１０分钟，放入加入柠檬酸或ＥＤＴＡ的ＮＨ↓［４］ＯＨ∶Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］∶Ｈ↓［２］Ｏ＝１∶１∶２～５的溶液中浸泡２０～３０分钟，用去离子水冲洗５～１０分钟，干燥即得。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种去除污染物的方法，具体的说，涉及一种去除半 导体零件表面污染物的方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中，各种半导体设备的零件尤其是应用在不同 工艺环境中的铝合金，陶瓷及石英零部件，会受到各种工艺气体，腐 蚀性化学物质及等离子体的侵蚀，会在其表面发生反应而形成一些反 应污染物，或者工艺过程形成的副产物沉积吸附在零件的表面，这些 都会在进一步的工艺过程中不稳定，从而会影响到工艺的结果，导致 零件损伤，产品良品的下降或工艺故障，所以必需有效的去除这些污 染物。针对这些污染物行业里研发了各种各样的清洗方法，从而有效 的保证零件的有效使用及工艺过程的进行。传统的清洗方法，是将零件用丙酮或异丙醇等有机溶剂擦洗去除表面易去除的颗粒，然后再用酸溶液(如H2S04， HN03, HCL， HF 等)或碱溶液(如KOH， NH40H等)浸泡零件，再配合超声和擦洗， 从而去除表面的污染物。由于被清洗的物质大部分的界面电位都是负的，所以在相同的情 况下， 一 般用碱溶液KOH或NH4OH可以提供负的电位而产生电性排 斥，从而达到比较好的清洗效果。但是碱性环境下， 一些离子容易形 成沉积物从而达不到好的清洗效果。而且KOH容易引进新的杂质金属 离子而产生新的污染，所以更多的采用NH40H,因为NH40H除了提 供碱性环境，还能够与金属离子络合。但是在反应一段时间或有某些 不与NH4OH发生络合的离子存在的情况下，NH40H并不能很好的发 生络合，从而不可避免的会产生一些沉积物影响清洗的效果。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种清洗效果更好的去除半导体零件表面 污染物的方法。为了实现本专利技术的目的，本专利技术提供了 ，包括如下步骤将初步擦拭后的半导体零件，用去离 子水冲洗5~ IO分钟，在NH4OH:TMAH为100:l的l 5呢水溶液中超声 清洗10~30分钟，擦拭，用去离子水冲洗5 10分钟，放入加入柠檬 酸或EDTA的NH40H:H202:H20-1:1:2 ~ 5的溶液中浸泡20 ~ 30分钟， 用去离子水冲洗5-10分钟，干燥即得。NH4OH:TMAH为100:1 ，此处为NH40H和TMAH相同量纲的体积比。NH40H:H202:H20=1:1:2~5,此处为NHtOH、仏02和1120相同量 纲的体积比。所述初步擦拭优选为用有机溶剂擦拭半导体零件表面至无色。 所述有机溶剂优选为丙酮或异丙醇。所迷干燥优选为用N2吹干，放入90 ~ 12(TC的烘箱中烘烤1.5 ~ 3小时。所述1升NH40H:H202:H20=1:1:2~5的溶液中优选加入4~25g 的柠檬酸或4~25gEDTA。本专利技术所述的去除半导体零件表面污染物的方法，根据大部分被 清洗的物质都是负的界面电位，所以保持在碱性环境下对这些物质进 行清洗，为了不引入一些杂质离子，选用NH40H作为碱性试剂，再 适当加入一些TMAH(四甲基氢氧化氨)，增强洗净效果。针对在碱 性环境下容易形成沉积物的金属离子去除，采取另外加入络合剂如柠檬酸或EDTA (乙二胺四醋酸)，能与金属离子有效的发生络合避免 沉积的生成从而达到洗净去除的效果。具体实施方式以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。 实施例l用无尘布蘸取异丙醇擦拭所要清洗零件表面，直至无色，将经处理过的零件用去离子水冲洗7分钟，在NH4OH:TMAH-100:l的3免水溶 液中超声清洗20分钟，并同时用菜瓜布进行擦洗，用去离子水冲洗7 分钟，放入加入柠檬酸的NH40H:H202:H20-1:1:3的溶液中浸泡25 分钟，其中l升NH40H:H202:H20-l:l:3的溶液中加入15g的柠檬酸， 用去离子水冲洗7分钟，再用N2吹干，放入10(TC的烘箱中2小时。 实施例2用无尘布蘸取丙酮擦拭所要清洗零件表面，直至无色，将经处理 过的零件用去离子水冲洗5分钟，在NH4OH:TMAH-100:l的1%水溶液 中超声清洗10分钟，并同时用菜瓜布进行擦洗，用去离子水冲洗5分 钟，放入加入柠檬酸的NH40H:H202:H20-1:1:2的溶液中浸泡20分 钟，其中l升NH40H:H202:H20-l:l:2的溶液中加入4g的柠檬酸，用去 离子水冲洗5分钟，再用N2吹干，放入901:的烘箱中1.5小时。 实施例3用无尘布蘸取丙嗣擦拭所要清洗零件表面，直至无色，将经处理 过的零件用去离子水冲洗10分钟，在NH4OH:TMAH-100:l的5呢水溶 液中超声清洗30分钟，并同时用菜瓜布进行擦洗，用去离子水冲洗IO 分钟，放入加入EDTA的NH40H:H202:H20-1:1:5的溶液中浸泡30分 钟，其中l升NH40H:H202:H20-l:l:5的溶液中加入25g的EDTA,用去 离子水冲洗10分钟，再用N2吹干，放入120 'C的烘箱中3小时。 实施例4按实施例l所述的方法对陶瓷件进行清洗。清洗前测定陶瓷表面 的元素含量(第一次测量)。用无尘布蘸取异丙醇擦拭所要清洗零件 表面，直至无色，将经处理过的零件用去离子水冲洗7分钟，在 NH4OH:TMAH-100:l的3呢水溶液中超声清洗20分钟，并同时用菜瓜 布进行擦洗，用去离子水冲洗7分钟，测定陶瓷表面的元素含量(第二次测量)。放入加入柠檬酸的NH40H:H202:H20-1:1:3的溶液中浸 泡25分钟，其中1升NH40H:H202:H20-1:1:3的溶液中加入15g的柠檬 酸，用去离子水冲洗7分钟，(第三次测量)。再用N2吹干，放入100。C 的烘箱中2小时。分别用EDS检测各清洗步骤下的陶瓷表面的元素含 量，如表l所示表l<table>table see original document page 6</column></row><table>由上表格可知，加入杼檬酸后对零件表面的杂质离子去除起到了 很好的效果。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除半导体零件表面污染物的方法，包括如下步骤：将初步擦拭后的半导体零件，用去离子水冲洗５～１０分钟，在ＮＨ↓［４］ＯＨ∶ＴＭＡＨ为１００∶１的１～５％水溶液中超声清洗１０～３０分钟，擦拭，用去离子水冲洗５～１０分钟，放入加入柠檬酸或ＥＤＴＡ的ＮＨ↓［４］ＯＨ∶Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］∶Ｈ↓［２］Ｏ＝１∶１∶２～５的溶液中浸泡２０～３０分钟，用去离子水冲洗５～１０分钟，干燥即得。

【技术特征摘要】
1. 一种去除半导体零件表面污染物的方法，包括如下步骤将初步擦拭后的半导体零件，用去离子水冲洗5～10分钟，在NH4OH∶TMAH为100∶1的1～5％水溶液中超声清洗10～30分钟，擦拭，用去离子水冲洗5～10分钟，放入加入柠檬酸或EDTA的NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶2～5的溶液中浸泡20～30分钟，用去离子水冲洗5～10分钟，干燥即得。2、 如权利要求l所述的方法，其特征在于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱进文，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11