【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶片制作领域，尤其涉及。背彔技术目前，随着电子技术的高速发展，人们对集成电路的集成度要求越来越高，这就要求生 产集成电路的企业不断地提髙半导体晶片的加工能力。等离子体装置广泛地应用于制造集成电路(IC)或MEMS器件的制造工艺中。其中电感耦合等离子体装置(ICP)被广泛应用于 刻蚀等工艺中。在低压下，反应气体在射频功率的激发下，产生电离形成等离子体，等离子 体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性反应基团 和被刻蚀物质表面发生各种物理和化学反应并形成挥发性的生成物，从而使材料表面性能发 生变化。在半导体晶片的制作过程中，为保证晶片有较高的质量，都是釆用自动化的机械操作， 包括半导体晶片的加工、工艺封装和传输等过程。例如在半导体晶片的传输和加工过程中， 较早的技术中一般使用机械卡盘固定晶片以进行半导体工艺，但需要盖住部分晶片表面，由 此导致浪费和高污染等问题。目前均改用静电卡盘，应用较多是双电极静电卡盘，即让机械 手将晶片放置在反应腔室内的静电卡盘上，而晶片被吸附在静电卡盘上，然后对半导体晶片 进行各种工艺操...
【技术保护点】
一种促进半导体晶片上静电电荷消散的方法，其特征在于，在从双电极静电卡盘上释放半导体晶片过程中，包括如下步骤：Ａ：在双电极静电卡盘的两个电极上都加负电势，并维持设定的时间，以促进半导体晶片上额外电荷的消散。
【技术特征摘要】
1. 一种促进半导体晶片上静电电荷消散的方法，其特征在于，在从双电极静电卡盘上释放半导体晶片过程中，包括如下步骤A在双电极静电卡盘的两个电极上都加负电势，并维持设定的时间，以促进半导体晶片上额外电荷的消散。2、 如权利要求1所述的促进半导体晶片上静电电荷消散的方法，其特征在于，所述的 步骤A之前还包括B:改变双电极静电卡盘两个电极上的电势极性，即将正电势变为负电势、负电势变为 正电势，并维持设定的时间，以消除半导体晶片上的感应电荷。3、 如权利要求1或2所述的促进半导体晶片上静电电荷消散的方法，其特征在于，所述 的步骤B进一步包括改变双电极静电卡盘两个电极上的电势极性，即将正电势变为负电势、 负电势变为正电势，维持时间为1 10秒。4、 如权利要求3所述的促...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘利坚，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11
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