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一种促进半导体晶片上静电电荷消散的方法,其特征在于,在从双电极静电卡盘上释放半导体晶片过程中,包括如下步骤: A:在双电极静电卡盘的两个电极上都加负电势,并维持设定的时间,以促进半导体晶片上额外电荷的消散。...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。
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一种促进半导体晶片上静电电荷消散的方法,其特征在于,在从双电极静电卡盘上释放半导体晶片过程中,包括如下步骤: A:在双电极静电卡盘的两个电极上都加负电势,并维持设定的时间,以促进半导体晶片上额外电荷的消散。...