半导体封装构造及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体封装构造及其制造方法，所述制造方法是先提供一薄型重布线转接层，其设于一半导体基材层上；再通过一粘着层将所述薄型重布线转接层固定在一临时性承载板上；接着，移除所述半导体基材层；并对所述薄型重布线转接层的上表面进行钻孔；随后，将一芯片电性连接在所述薄型重布线转接层上；然后，利用一封装胶体包覆所述芯片；再移除所述粘着层及临时性承载板；最后，将所述薄型重布线转接层电性连接至一电路基板上。所述薄型重布线转接层不具有硅基材，同时也不需进行穿硅导通孔工艺，可以取代现有硅间隔层，不但有利于封装构造的薄型化趋势，并可相对降低封装成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于ー种，特别是有关于ー种具有薄型重布线转接层的。
技术介绍
现今，半导体封装产业为了满足各种高密度封装的需求，逐渐发展出各种不同型式的封装构造，其中各种不同的系统封装( system in package, SIP)设计概念常用于架构高密度封装构造，上述系统封装又可再分为多芯片模块(multi chip module,MCM)、封装体上堆叠封装体(package on package,POP)及封装体内堆叠封装体(package in package,PIP)等。此外，也有为了缩小封装构造体积而产生的设计概念，例如晶圆级封装构造(waferlevel package, WLP)、芯片尺寸封装构造(chip scale package, CSP)以及无外引脚封装构造(quad-flat no-lead package, QFN)等。举例来说，一种现有晶圆级封装构造(WLP)可能包含ー电路基板、ー硅间隔层(silicon interposer)、ー芯片、一封装胶材及一底部填充胶(underfill),其中所述电路基板的上表面具有数个接垫，及其下表面具有数个锡球；所述硅间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：提供一薄型重布线转接层，所述薄型重布线转接层设于一半导体基材层上，所述薄型重布线转接层的内部具有至少一电路层，及所述薄型重布线转接层的一下表面具有数个转接凸块；通过一粘着层将所述薄型重布线转接层的下表面固定在一临时性承载板上；移除所述半导体基材层，以裸露所述薄型重布线转接层的一上表面；对所述薄型重布线转接层的上表面进行钻孔以形成数个通孔，所述通孔分别露出所述电路层的数个部分；将一芯片电性连接在所述薄型重布线转接层的所述电路层的所述数个露出部分；利用一封装胶体包覆所述芯片；以及移除所述粘着层及临时性承载板，以裸露所述薄型重布线转接层...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王盟仁，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：