半导体器件的制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法
本专利技术涉及一种半导体器件的制造技术，尤其涉及一种通过焊锡将半导体芯片的凸起电极与衬底的引脚连接的半导体器件的有效的技术。
技术介绍
在日本特开2000-77471号公报(专利文献1)中公开了通过焊锡将设置在半导体芯片上的凸起电极(由金构成)与布线基板的连接焊点进行连接的安装方法(倒装芯片安装方法)。专利文献1日本特开2000-77471号公报
技术实现思路
倒装芯片安装方法是在半导体芯片的多个电极片上分别形成突起电极(凸起电极、突起)的方法。而且，通过焊锡将突起电极连接到布线基板侧的引脚，就可将半导体芯片与布线基板进行电连接。其中，所述突起电极例如可使用以金(Au)为主要成分的金属材料(请参照专利文献1)，并通过应用了引线键合技术的球焊法来形成。本案专利技术人对于如何降低以倒装芯片的连接方式制造的半导体器件的制造成本进行了研究，并于其中的环节之一如使用比金(Au)更廉价的铜(Cu)作为突起电极的主要成分的技术进行了研究，结果发现了如下的问题。在使用了焊锡的倒装芯片安装方法中，先是在布线基板侧的引脚上涂布焊锡后，再使突起电极与焊锡接触，并通过回...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：工序a，准备布线基板，其中，所述布线基板具有形成有多条焊接引线的上表面，在俯视观察时，所述上表面包括第一部分及第二部分，所述第一部分由第一宽度构成，所述第二部分与所述第一部分一体形成且在俯视观察时由比所述第一宽度小的第二宽度构成；工序b，以半导体芯片的表面面向所述布线基板的所述上表面的方式将该半导体芯片配置到所述布线基板上，且将所述多条焊接引线和多个焊盘进行电连接的工序，其中，所述半导体芯片具有所述表面、形成于所述表面的所述多个焊盘、与所述多个焊盘接合的多个突起电极以及装载在所述多个突起电极的顶端面的多处第一焊锡；其中，所...
【技术特征摘要】
2011.06.30 JP 2011-1454311.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：工序a，准备布线基板，其中，所述布线基板具有形成有多条焊接引线的上表面，所述焊接引线包括第一部分及第二部分，所述第一部分在俯视观察时由第一宽度构成，所述第二部分与所述第一部分一体形成且在俯视观察时由比所述第一宽度小的第二宽度构成；工序b，以半导体芯片的表面面向所述布线基板的所述上表面的方式将该半导体芯片配置到所述布线基板上，且将所述多条焊接引线和多个焊盘进行电连接的工序，其中，所述半导体芯片具有所述表面、形成于所述表面的所述多个焊盘、与所述多个焊盘接合的多个突起电极以及装载在所述多个突起电极的顶端面的多处第一焊锡；其中，所述工序a中所准备的布线基板的所述多条焊接引线上预先形成有多处第二焊锡，所述工序b中，以所述多个突起电极分别与所述多条焊接引线的所述第二部分重合的方式将所述半导体芯片配置到所述布线基板上，而且，所述工序b中，通过对所述第二焊锡进行加热以熔化所述第二焊锡，所述工序a中，配置在所述多条焊接引线中的所述第二部分上的所述多处第二焊锡的厚度，比配置在所述多条焊接引线中的所述第一部分上的所述多处第二焊锡的厚度薄。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述工序a还包括以下工序，即：将焊锡涂布在所述多条焊接引线上后，对所述焊锡进行加热从而形成所述第二焊锡的工序。3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在俯视观察时，所述突起电极的顶端面不与所述第一部分重合。4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多个突起电极通过将金属膜堆积在所述多个焊盘上而形成。5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多个突起电极以铜为主要成分。6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多处第一焊锡通过将锡膜堆积在所述多个突起电极的所述顶端面而形成。7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二部分的所述第二宽度比所述多个突起电极的每一个的宽度小。8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一部分的延伸方向的长度为所述第一宽度以上。9.如权利要求1所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：绀野顺平，西田隆文，木下顺弘，长谷川和功，杉山道昭，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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