IC封装凸块的制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种IC封装凸块的制造工艺，包括如下步骤：提供一硅片，硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在硅片上至少形成一双层凸块，双层凸块覆盖铝垫及硅片护层；在硅片上还至少形成一保护层，在保护层上至少形成一导电层；在硅片表面上至少形成一层厚度均一的光阻层，光阻层全部覆盖保护层和导电层；在硅片上对需要形成双层凸块的地方进行曝光和显影；在硅片表面沉积双层凸块；移除硅片表面的光阻层；采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。通过上述方式，本发明专利技术IC封装凸块的制造工艺流程简单，能够制造出金加钯的双层凸块，作用于结合晶片和面板，能够降低材料成本，产品寿命更长，可靠度更加，增强了市场竞争性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及驱动IC封装领域，特别是涉及一种IC封装凸块的制造工艺。
技术介绍
目前业界在驱动IC封装上是使用纯金凸块，为节省成本也有业者推出铜、镍金等组合来取代金。在IC封装过程中，随着封装密度的提高，原本的传统封装形态已经难以满足键合工艺要求，为使其能达到工艺控制要求，我们开发出一些相应的封装技术，提高了产品的可靠性，其中金/钯凸块因其价格及金属本身相对于其他金属的稳定性，使其更具优势。金/钯凸块的制造一般采用电镀方法，将金属沉积后形成。但是，传统的制造过程难以保证凸块的可靠性，其寿命也不佳，不能满足客户的需求。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种IC封装凸块的制造工艺，能够制造出金加钯的双层凸块，作用于结合晶片和面板，能够降低材料成本，产品寿命更长，可靠度更加，增强了市场竞争性。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是提供一种IC封装凸块的制造工艺，包括如下步骤 a、提供一硅片，其中所述硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在所述硅片上至少形成一双层凸块，所述双层凸块覆盖铝垫及硅片护层； b、在硅片上还至少形成一保护层，在所述保护层上至少形成一导电层；C、在硅片表面上至少形成一层厚度均一的光阻层，所述光阻层完全覆盖保护层和导电层； d、在硅片上对需要形成双层凸块的地方进行曝光和显影； e、在娃片表面沉积双层凸块； f、移除硅片表面的光阻层； g、采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。在本专利技术一个较佳实施例中，所述双层凸块的沉积过程包括如下步骤 第一，在硅片表面至少沉积一钯层，所述钯层至少覆盖导电层和保护层；第二，在钯层表面至少沉积一第一金层，所述第一金层至少覆盖导电层、保护层以及钯层。在本专利技术一个较佳实施例中，所述双层凸块的钯层和第一金层采用电镀方式进行沉积。在本专利技术一个较佳实施例中，所述电镀过程中将电镀的阴极连接硅片表面。在本专利技术一个较佳实施例中，所述保护层为钛钨层，所述钛钨层通过溅镀方式形成在硅片上。在本专利技术一个较佳实施例中，所述导电层为第二金层，所述第二金层通过溅镀方式形成在钦鹤层上。 在本专利技术一个较佳实施例中，所述光阻层采用高转速光阻涂布机在硅片表面形成。在本专利技术一个较佳实施例中，所述硅片上需要形成双层凸块的地方通过曝光显影技术进行显现，所述光罩全部覆盖住双层凸块。在本专利技术一个较佳实施例中，所述化学蚀刻过程包括如下步骤 第一，利用化学蚀刻将不需要有钛钨的区 域去除； 第二，利用化学蚀刻将多余的金区域去除。本专利技术的有益效果是本专利技术IC封装凸块的制造工艺流程简单，能够制造出金加钯的双层凸块，作用于结合晶片和面板，能够降低材料成本，产品寿命更长，可靠度更加，增强了市场竞争性。附图说明图I是本专利技术驱动IC封装凸块一较佳实施例的结构示意 图2是本专利技术驱动IC封装结构一较佳实施例的结构示意 图3是图7是本专利技术IC封装凸块的制造工艺的流程 附图中各部件的标记如下I、第一金层，2、钮!层,3、导电层,4、保护层,5、娃片护层,6、铝垫，7、封装凸块，8、硅片，9、封装基板，10、槽孔，11、光阻层，12、光罩。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。如图I所示为本专利技术相关的IC封装凸块，其包括招垫6、硅片护层5、保护层4、导电层3和双层凸块。所述铝垫6设置在硅片8上，所述铝垫6与硅片8表面设置有硅片护层5，所述双层凸块设置在铝垫6上，所述双层凸块包括第一金层I和钯层2，所述双层凸块与硅片护层5之间设置导电层3和保护层4。如图2所示为本专利技术的IC封装结构，其包括硅片8、封装凸块7和封装基板9，所述封装凸块7设置在硅片8表面，所述封装基板9的下表面设置有槽孔10，所述封装凸块7配置于槽孔10内。如图3至图7所示为本专利技术的一种IC封装凸块的制造工艺，包括如下步骤 首先提供一娃片8,其中所述娃片8上至少形成有一招垫6及一娃片护层5,在所述娃片8上至少形成一双层凸块，所述双层凸块覆盖铝垫6及硅片护层5。所述铝垫6设置在硅片上用于连接IC内部线路。铝垫6与IC内部线路之间为电性连接，将IC内部信息经由线路传递以达到预期效果。所述铝垫6与硅片表面设置有硅片护层5，其主要作为IC内部线路的保护层，它能够防止水氧或外在环境粉尘的污染，确保IC在一般环境中可以正常运作。如图3所示，在硅片8上还至少形成一保护层4，在所述保护层4上至少形成一导电层3。所述保护层4为钛钨层，钛钨层通过溅镀方式形成在硅片上。所述导电层3为第二金层，所述第二金层通过溅镀方式形成在钛钨层上。如图4所示，在硅片8表面上至少形成一层厚度均一的光阻层11，所述光阻层11全部覆盖保护层4和导电层3。优选地，所述光阻层11采用高转速光阻涂布机在硅片8表面形成。如图5 (a)至图5 (b)所示，在所述硅8片上需要形成双层凸块的地方通过曝光显影技术进行显现，所述光影中的光罩12全部覆盖住双层凸块。如图6所示，在硅片8表面沉积双层凸块。所述双层凸块的沉积过程包括如下步骤 第一，在硅片8表面至少沉积一钯层2，所述钯层至少覆盖导电层3和保护层4 ； 第二，在钯层2表面至少沉积一第一金层I，所述第一金层I至少覆盖导电层3、保护层4以及钯层2。在封装的过程中，金属的硬度是一个关键的考虑因素，金是一个可以提供适当硬度的金属，不仅可以保证片的表面保护层的承受应力，同时也可以避免凸块产生形变，造成相邻两个凸块形成短路。钯是一种极为稳定的材料，其价格只有金的30% (黄金330RMB/g钯117 RMB/g)，且制造凸块的程序上只需要增加一道程序，与铜镍金凸块比起来，不论材料成本或是加工成本都极具市场竞争性。采用金钯凸块的组合既可以降低金凸块的成本，制造流程又不如铜镍金凸块复杂，且钯在空气中不易氧化其产品的可靠度远远超过铜。本专利技术中，所述双层凸块的钯层2和第一金层I采用电镀方式进行沉积，所述电镀过程中将电镀的阴极连接硅片表面。在凸块的制造过程中由于采用电镀的方式，所以需要一个导电优良的金属当导电层，而金是所有金属中导电性、延展性最好的金属，因此本专利技术中的封装凸块中采用金作为导电层3。钛钨层主要有两个功能一是当附着层，二是当屏障层。钛钨跟铝垫6能够形成良好的结合性，有效地强化了凸块跟IC的结合强度，另外金跟铝在高温的工作环境下会形成合金，进而影响了 IC的功能，而钛钨层能够阻挡金跟铝形成合金。如图7所示，对硅片8表面的光阻层11进行移除，并采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。所述化学蚀刻过程包括如下步骤 第一，利用化学蚀刻将不需要有钛钨的区域去除； 第二，利用化学蚀刻将多余的金区域去除，从而完整整个制造流程。本专利技术的IC封装凸块的制造工艺有益效果是 金材料具有稳定性，金和钯材料的价格、加工成本等加起来比目前业界使用的铜镍金凸块更加便宜，对客户更具吸引力； 流程简单，能够制造出金加钯的双层凸块，作用于结合晶片和面板，能够降低材料成本，产品寿命更长，可靠度更加，增强了市场竞争性。以上所述仅为本专利技术的实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是利用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：a、提供一硅片，其中所述硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在所述硅片上至少形成一双层凸块，所述双层凸块覆盖铝垫及硅片护层；b、在硅片上还至少形成一保护层，在所述保护层上至少形成一导电层；c、在硅片表面上至少形成一层厚度均一的光阻层，所述光阻层完全覆盖保护层和导电层；d、在硅片上对需要形成双层凸块的地方进行曝光和显影；e、在硅片表面沉积双层凸块；f、移除硅片表面的光阻层；g、采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余家良，
申请(专利权)人：江苏汇成光电有限公司，
类型：发明
国别省市：