IC封装凸块的制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种IC封装凸块的制造工艺，包括如下步骤：提供一硅片，硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在硅片上至少形成一双层凸块，双层凸块覆盖铝垫及硅片护层；在硅片上还至少形成一保护层，在保护层上至少形成一导电层；在硅片表面上至少形成一层厚度均一的光阻层，光阻层全部覆盖保护层和导电层；在硅片上对需要形成双层凸块的地方进行曝光和显影；在硅片表面沉积双层凸块；移除硅片表面的光阻层；采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。通过上述方式，本发明专利技术IC封装凸块的制造工艺流程简单，能够制造出金加钯的双层凸块，作用于结合晶片和面板，能够降低材料成本，产品寿命更长，可靠度更加，增强了市场竞争性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及驱动IC封装领域，特别是涉及一种IC封装凸块的制造工艺。
技术介绍
目前业界在驱动IC封装上是使用纯金凸块，为节省成本也有业者推出铜、镍金等组合来取代金。在IC封装过程中，随着封装密度的提高，原本的传统封装形态已经难以满足键合工艺要求，为使其能达到工艺控制要求，我们开发出一些相应的封装技术，提高了产品的可靠性，其中金/钯凸块因其价格及金属本身相对于其他金属的稳定性，使其更具优势。金/钯凸块的制造一般采用电镀方法，将金属沉积后形成。但是，传统的制造过程难以保证凸块的可靠性，其寿命也不佳，不能满足客户的需求。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种IC封装凸块的制造工艺，能够制造出金加钯的双层凸块，作用于结合晶片和面板，能够降低材料成本，产品寿命更长，可靠度更加，增强了市场竞争性。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是提供一种IC封装凸块的制造工艺，包括如下步骤 a、提供一硅片，其中所述硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在所述硅片上至少形成一双层凸块，所述双层凸块覆盖铝垫及硅片护层； b、在硅片上还至少形成一保护层，在所述保护层上至少形成一导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：a、提供一硅片，其中所述硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在所述硅片上至少形成一双层凸块，所述双层凸块覆盖铝垫及硅片护层；b、在硅片上还至少形成一保护层，在所述保护层上至少形成一导电层；c、在硅片表面上至少形成一层厚度均一的光阻层，所述光阻层完全覆盖保护层和导电层；d、在硅片上对需要形成双层凸块的地方进行曝光和显影；e、在硅片表面沉积双层凸块；f、移除硅片表面的光阻层；g、采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余家良，
申请(专利权)人：江苏汇成光电有限公司，
类型：发明
国别省市：