【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可控制圆角形状不成为凸状且可制造可靠性高的半导体装置的半导体芯片接合用粘接材料。另外,本专利技术还涉及由该半导体芯片接合用粘接材料形成的半导体芯片接合用粘接膜、使用了该半导体芯片接合用粘接材料或该半导体芯片接合用粘接膜的半导体装置的制造方法、以及通过该半导体装置的制造方法得到的半导体装置。
技术介绍
近年来,为了应对日益进步的半导体装置的小型化、高集成化,而多采用使用了具有由软纤料等形成的连接端子(凸出)的半导体芯片的倒装式安装。在倒装式安装中,通常采用在借助凸出将具有多个凸出的半导体芯片连接于其它的半导体芯片或基板后,填充底层填料的方法。在这种填充底层填料的方法中,在底层填料 固化收缩时,或者在回焊试验或冷热循环试验时,例如往往因半导体芯片与基板之间的线膨胀系数之差,而导致应カ集中于底层填料的界面等,产生裂縫。因此,为了抑制裂缝的产生,例如在专利文献I中记载了 在具备半导体元件、搭载该半导体元件的基板、和将形成于上述半导体元件的电路形成面密封的密封树脂的半导体装置中,设置将半导体元件外周侧面覆盖的侧面覆盖部。这种将半导体元件外周侧面覆盖的侧面覆盖 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.13 JP 2010-0921511.一种半导体芯片接合用粘接材料,其特征在于,用粘弹性测定装置测得的25°C剪切弹性模量Gr为IXlO6Pa以上,用流变仪测得的直到软纤料熔点为止的最低复数粘度n min为SXlO1Pa-s以下,在140°C的温度、Irad的变形量、IHz的频率下测得的复数粘度n*(lHz)是在140°C的温度、Irad的变形量、IOHz的频率下测得的复数粘度n*(10Hz)的.0.5 4. 5 倍。2.根据权利要求I所述的半导体芯片接合用粘接材料,其特征在于,含有环氧化合物、和具有能够与所述环氧化合物反应的官能团的高分子化合物,所述具有能够与环氧化合物反应的官能团的高分子化合物的重均分子量为5万以下。3.根据权利要求I或2所述的半导体芯片接合用粘接材料,其特征在于,用于预先将粘接剂层搭载于晶片、半导体芯片或基板的倒装式安装。4.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,是使用了权利要求I、2或3所述的半导体芯片接合用粘接材料的半导体装置的制造方法,其中, 在权利要求1、2或3所述的半导体芯片接合用粘接材料中添加溶剂,将由此...
【专利技术属性】
技术研发人员:竹田幸平,石泽英亮,金千鹤,畠井宗宏,西村善雄,冈山久敏,
申请(专利权)人:积水化学工业株式会社,
类型:
国别省市:
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