一种功率器件单元区和保护环区PN结的结深测量方法技术

本发明专利技术提供了一种功率器件单元区和保护环区PN结的结深测量方法，包括以下步骤：把金相切片好的样品，浸泡入按照体积比HF∶HNO3∶CH3COOH＝1∶20∶5配制的单元区结染色液中6秒钟后取出；使用扫描电子显微镜对上述浸泡过的金相切片进行截面观察，并测量单元区结的深度；另取一片金相切片好的样品，浸泡入按照体积比HF∶HNO3＝1∶100配制的保护环区结染色液中30秒钟后取出；使用扫描电子显微镜对上述浸泡过的金相切片进行截面观察，并测量保护环结的深度。本发明专利技术通过对单元区和保护环区分别使用适合的结染色液，得到精确的结深值；使用染色液进行结深测量，即快速又经济，且单元区的源结和体结在一张照片中获得。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种功率器件PN结的结深測量方法，特别涉及一种通过使用不同染色液分别对功率器件的単元区和保护环区的PN结的结深进行测量的方法。
技术介绍
采用不同的掺杂エ艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上，在它们的交界面形成的空间电荷区称PN结。由于掺杂类型和掺杂浓度存在差异，PN结存在ー个杂质浓度的过渡界面，即我们说的“结”(Junction)，而它的深度我们称之为“结深”(Junction Depth)。在エ艺过程中如果想对功率器件的単元区的“结深”以及周边保护环(Guard ring)的“结深”进行エ艺监控，就要借助一定的技术手段来获取”结深”的信息。一般人可能最开始想到的是二次离子质谱仪，的确二次离子质谱仪的二次离子强 度经过转换可得到元素的浓度，而离子轰击时间，可转换成杂质分布深度。所以可以对PN结深进行測量，得到非常精确的深度值。但是一般二次离子质谱仪对分析面积是有一定要求的，一般要求最少lOOumXIOOum的分析面积,而针对单元区的ー个单元,面积肯定达不到这么大的要求，所以如果lOOumXIOOum的许多数量的单元一起进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率器件单元区和保护环区PN结的结深测量方法，其特征在于：该染色方法包括以下步骤：A、按照体积比HF∶HNO3∶CH3COOH＝1∶20∶5的比例进行单元区结染色液配制；B、把金相切片好的样品，浸泡入单元区结染色液中6秒钟后取出，要求在操作过程中保证截面不被任何物品触碰，确保截面干净；C、使用扫描电子显微镜对步骤B中浸泡过的金相切片进行截面观察单元区，拍下扫描电子显微镜扫描的照片，并测量出单元区的源结和体结的深度；D、按照体积比HF∶HNO3＝1∶100进行保护环区结染色液配制；E、另取一片金相切片好的样品，浸泡入保护环区结染色液中30秒钟后取出，要求在操作过程中保证截面不被任何物体触碰，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，
申请(专利权)人：上海华碧检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：