一种硅片薄膜的生长方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片薄膜的生长方法，包括：测得一控制硅片中央位置与周边位置的薄膜厚度比；利用所述厚度比在硅片上进行第一次薄膜生长；在第一次生长的薄膜上进行光刻胶旋涂；利用硅片周边曝光系统对硅片周边位置进行曝光，经显影后将部分光刻胶去除；通过刻蚀将硅片部分薄膜去除；去除剩余的光刻胶后，利用所述厚度比进行第二次薄膜生长，通过两次薄膜生长使薄膜达到要求的厚度。本发明专利技术所述硅片薄膜的生长方法，能使硅片上生长的薄膜其中央位置和周边位置的薄膜厚度一致，减少硅片周边芯片的失效率，提高产品的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及。
技术介绍
薄膜生长是半导体制造技术中一种非常重要的工艺，薄膜的厚度对半导体器件的性能起到至关重要的作用。随着硅片尺寸的增大，薄膜生长的技术要求越来越高，由于薄膜生长设备的能力限制，硅片中央位置和周边位置的薄膜厚度的均一性问题变得突出。如图I、图2所示，在生产过程中，经常会由于这种膜厚度不均的问题而导致硅片周边的芯片失效，从而影响产品的成品率
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供，使硅片上生长的薄膜中央位置和周边位置厚度一致，减少硅片周边芯片的失效率，提高产品的成品率。为解决上述技术问题，本专利技术的硅片薄膜的生长方法，要制造一片最终薄膜厚度为T的硅片，包括以下步骤(I)测得一监控硅片的薄膜厚度，其中央位置的薄膜厚度为a，周边位置的薄膜厚度为b，中央位置和周边位置的薄膜厚度比为a/b ；a/b > I时，步骤如下(2)在硅片上进行第一次薄膜生长，使硅片中央位置的薄膜厚度为T(a/b_l)，硅片周边位置的薄膜厚度为T(l-b/a)；(3)在第一次生长的薄膜上进行负性光刻胶旋涂；(4)利用硅片周边曝光系统对硅片周边位置进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片薄膜的生长方法，要制造一片最终薄膜厚度为T的硅片，包括以下步骤：(1)测得一监控硅片的薄膜厚度，其中央位置薄的膜厚度为a，周边位置的薄膜厚度为b，中央位置与周边位置的薄膜厚度比为a/b；当a/b＞1时，步骤如下：(2)在一硅片上进行第一次薄膜生长，使硅片中央位置的薄膜厚度为T(a/b？1)，硅片周边位置的薄膜厚度为T(1？b/a)；(3)在第一次生长的薄膜上进行负性光刻胶旋涂；(4)利用硅片周边曝光系统对硅片周边位置进行曝光，经显影后将硅片中央位置的光刻胶去除，周边位置的光刻胶保留；(5)通过刻蚀将硅片中央位置的薄膜去除，周边位置的薄膜保留；(6)去除周边位置的光刻胶后，进行第二次薄膜...

【技术特征摘要】
1.一种硅片薄膜的生长方法，要制造一片最终薄膜厚度为T的硅片，包括以下步骤 (1)测得一监控硅片的薄膜厚度，其中央位置薄的膜厚度为a，周边位置的薄膜厚度为b，中央位置与周边位置的薄膜厚度比为a/b ； 当a/b > I时,步骤如下 (2)在一硅片上进行第一次薄膜生长，使硅片中央位置的薄膜厚度为T(a/b_l)，硅片周边位置的薄膜厚度为T(l-b/a)； (3)在第一次生长的薄膜上进行负性光刻胶旋涂； (4)利用硅片周边曝光系统对硅片周边位置进行曝光，经显影后将硅片中央位置的光刻胶去除，周边位置的光刻胶保留； (5)通过刻蚀将硅片中央位置的薄膜去除，周边位置的薄膜保留； (6)去除周边位置的光刻胶后，进行第二次薄膜生长，使硅片中央位置的薄膜厚度为T，周边位置的薄膜厚度为Tb/a ； 当a/b < I时,步骤如下 (7)在一硅片上进行第一次薄膜生长，使硅片中央位置的薄膜厚度为T(Ι-a/b)，硅片周边位置的薄膜厚度为T(b/a-l)； (8)在第一次...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓波，王雷，孟鸿林，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：