一种基于脉冲气流法生长层状二硫化钼薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种基于脉冲气流法生长层状二硫化钼薄膜的方法，包括如下步骤：1)将衬底置于PEMOCVD反应室中，通入氩气去除反应室中的空气，调节反应室真空度为10‑3Pa以下，温度为700℃～800℃，升温速率为40～60℃/min；2)以氩气为载体，将氧化钼粉末和硫粉末分别加热蒸发为反应源气体，脉冲式通入到PEMOCVD反应室中在衬底上成核成长，通过控制反应源气体的输入流量以及脉冲输入方式，获得特定层数的二硫化钼薄膜。本发明专利技术通过反应源气体的输入流量以及脉冲输入方式，可获得高质量和层数可控的大尺寸二硫化钼薄膜。

【技术实现步骤摘要】
201610133290

【技术保护点】
一种基于脉冲气流法生长层状二硫化钼薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将衬底置于PEMOCVD反应室中，通入氩气去除反应室中的空气，调节反应室真空度为10‑3Pa以下，温度为700℃～800℃，升温速率为40～60℃/min；2)以氩气为载体，将氧化钼粉末和硫粉末分别加热蒸发为反应源气体，脉冲式通入到PEMOCVD反应室中在衬底上成核成长，通过控制反应源气体的输入流量以及脉冲输入方式，获得特定层数的二硫化钼薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种基于脉冲气流法生长层状二硫化钼薄膜的方法，其特征在于，包括
如下步骤：
1)将衬底置于PEMOCVD反应室中，通入氩气去除反应室中的空气，调节
反应室真空度为10-3Pa以下，温度为700℃～800℃，升温速率为40～60℃/min；
2)以氩气为载体，将氧化钼粉末和硫粉末分别加热蒸发为反应源气体，脉
冲式通入到PEMOCVD反应室中在衬底上成核成长，通过控制反应源气体的输
入流量以及脉冲输入方式，获得特定层数的二硫化钼薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种基于脉冲气流法生长层状二硫化钼薄膜的方
法，其特征在于，所述衬底为经过清洗处理的蓝宝石、石英或者硅。
3.根据权利要求1所述的一种基于脉冲气流法生长层状二硫化钼薄膜的方
法，其特征在于，所述氧化钼粉末加热蒸发的温度为550℃～650℃，升温速率
为40～60℃/min；所述硫粉末加热蒸发的温度为150℃～250℃，升温速率为
15～25℃/min。
4.根据权利要求1所述的一种基于脉冲气流法生长层状二硫化钼薄膜的方
法，其特征在于，所述氧化钼反应源气体的输入流量为10～100sccm；所述硫反
应源气体的输入流量为50～200sccm。
5.根据权利要求1所述的一种基于脉冲气流法生长层状二硫化钼薄膜的方
法，其特征在于，所述氧化钼和硫反应源气体脉冲间隔输入到PEMOCVD反应
室中，其方式为：
t1＝10s内，氧化钼和硫反应源气体脉...

【专利技术属性】
技术研发人员：林本慧，
申请(专利权)人：无锡盈芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32