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本发明公开了一种硅片薄膜的生长方法，包括：测得一控制硅片中央位置与周边位置的薄膜厚度比；利用所述厚度比在硅片上进行第一次薄膜生长；在第一次生长的薄膜上进行光刻胶旋涂；利用硅片周边曝光系统对硅片周边位置进行曝光，经显影后将部分光刻胶去除；通过...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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