【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件的制造方法，更具体地讲，涉及一种。
技术介绍
随高K/金属栅工程在45纳米技术节点上的成功应用，使其成为亚30纳米以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。目前只有坚持高K/后金属栅(gate last)路线的英特尔公司在45纳米和32纳米量产上取得了成功。近年来紧随IBM产业联盟的三星、台积电、英飞凌等业界巨头也将之前开发的重点由高K/先金属栅(gate first)转向gate last工程。Gate last工程中，在完成离子高温退火后，需要把多晶栅挖掉，而后在填充进金属栅电极，流程详见图I。如图1A，衬底I上依次形成绝缘层2、多晶硅假栅极3、栅极侧壁4、层间介质层(ILD)5。如图1B，去除多晶硅假栅极3，形成栅极开口 6，然后填充金属栅电极材料。多晶栅侧壁4为氧化硅或氮化硅材料的侧墙(spacer)，多晶栅下面的绝缘层2是淀积好的闻K或是氧化娃或是氮氧化娃材料。目如，工业界有二条工艺路线来完成多晶假栅的去除工作，分别是干法刻蚀，湿法刻蚀，以及干法-湿法混合刻蚀；从实验及报道的结果看，更倾向于后两种方法。多晶假栅3去除后，需要进行...
【技术保护点】
一种多晶硅假栅移除后的监控方法，包括以下步骤：在晶圆表面形成多晶硅假栅结构；确定晶圆质量的量测目标及误差范围；去除多晶硅假栅之后，使用质量量测设备测量晶圆的质量，判断多晶硅假栅是否完全移除。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅假栅移除后的监控方法，包括以下步骤 在晶圆表面形成多晶硅假栅结构； 确定晶圆质量的量测目标及误差范围； 去除多晶硅假栅之后，使用质量量测设备测量晶圆的质量，判断多晶硅假栅是否完全移除。2.一种多晶硅假栅移除后的监控方法，包括以下步骤 在晶圆表面形成多晶硅假栅结构； 确定晶圆质量差的量测目标及误差范围； 使用质量量测设备测量晶圆的质量，确定晶圆质量前值； 去除多晶硅假栅之后，使用质量量测设备测量晶圆的质量以确定晶圆质量后值，判断多晶娃是否完全移除。3.如权利要求I或2的方法，其中，多晶硅假栅下方包括绝缘层，所述绝缘层为高...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨涛，赵超，李俊峰，闫江，陈大鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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