覆晶接合方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种覆晶接合方法及装置。该方法包括：置放一第一半导体芯片于一封装基板上，其中该第一半导体芯片的凸块接触该封装基板的第一表面；固定该封装基板；及加热该封装基板及该第一半导体芯片，其中在加热过程中，该封装基板的变形受到限制，且该第一半导体芯片可自由地变形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于半导体封装，详言之，关于三维(3D)半导体封装的覆晶接合方法及装置。
技术介绍
已知覆晶接合方法如下。首先，提供一封装基板及一半导体芯片。该封装基板具有一第一表面及一第二表面，且该半导体芯片具有一主动面及数个凸块，该等凸块位于该主动面。接着，该半导体芯片被置放于该封装基板上，且该半导体芯片的该等凸块接触该封装基板的第一表面。接着，利用一热压头同时压住且加热该封装基板及该半导体芯片，以使该等凸块接合至该封装基板。该已知覆晶接合方法的缺点为，该热压头的制造成本相当高，且热压时间必须相·当久。
技术实现思路
本揭露的一方面关于一种覆晶接合方法，包括以下步骤(a)提供一封装基板及一第一半导体芯片，该封装基板具有一第一表面及一第二表面，该第一半导体芯片具有一主动面及数个凸块，该等凸块位于该主动面；(b)将该第一半导体芯片置放于该封装基板上，其中该第一半导体芯片的该等凸块接触该封装基板的第一表面；(C)于该步骤(b)之后，将该封装基板及该第一半导体芯片置放于一支撑装置(Holder)上，其中该支撑装置经由真空吸力吸住该封装基板的第二表面；及(d)加热该封装基板及该第一半导体芯片，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆晶接合方法，包括以下步骤：(a)提供一封装基板及一第一半导体芯片，该封装基板具有一第一表面及一第二表面，该第一半导体芯片具有一主动面及数个凸块，所述凸块位于该主动面上；(b)将该第一半导体芯片置放于该封装基板上，其中该第一半导体芯片的所述凸块接触该封装基板的第一表面；(c)将该封装基板及该第一半导体芯片置放于一支撑装置上，其中该支撑装置经由真空吸力吸住该封装基板的第二表面；及(d)加热该封装基板及该第一半导体芯片，其中在加热过程中，该支撑装置持续吸住该封装基板。

【技术特征摘要】
2011.09.07 US 61/531,7901.一种覆晶接合方法，包括以下步骤 (a)提供一封装基板及一第一半导体芯片，该封装基板具有一第一表面及一第二表面，该第一半导体芯片具有一主动面及数个凸块，所述凸块位于该主动面上； (b)将该第一半导体芯片置放于该封装基板上，其中该第一半导体芯片的所述凸块接触该封装基板的第一表面； (C)将该封装基板及该第一半导体芯片置放于一支撑装置上，其中该支撑装置经由真空吸力吸住该封装基板的第二表面；及 (d)加热该封装基板及该第一半导体芯片，其中在加热过程中，该支撑装置持续吸住该封装基板。2.如权利要求I的覆晶接合方法，其中该步骤(d)之后更包括 (e)施加一第一底胶至该第一半导体芯片的主动面及该封装基板的第一表面间之间隙； (f)将该封装基板及该第一半导体芯片置放于该支撑装置上，其中该支撑装置经由真空吸力吸住该封装基板的第二表面； (g)加热该封装基板及该第一半导体芯片以固化该第一底胶，其中在加热过程中，该支撑装置持续吸住该封装基板；及 (h)从该支撑装置释放该封装基板。3.如权利要求I的覆晶接合方法，其中该支撑装置为一治具，且在该步骤(d)中，该封装基板及该第一半导体芯片被数个加热器加热。4.如权利要求I的覆晶接合...

【专利技术属性】
技术研发人员：张惠珊，徐沛妤，陈志强，赖宥丞，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：