一种用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法技术

本发明专利技术公开了一种用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法，包括：将铝质烙铁头的烙铁温度调节到186～210摄氏度，使用助焊剂将纯度为99.999％以上的铟焊接到银丝引线的一端，形成铟球；去除铟球表面附着的助焊剂；将铝质烙铁头的烙铁温度调节到165～185摄氏度，将带有银丝引线的铟球焊接到经过碲镉汞薄膜片边缘上，制成测试电极。本发明专利技术有效地解决了传统的焊接方法经常会出现的测试中低温下电极断开、重复制备测试电极、碲镉汞薄膜表面铟的沾污面积增大、测试中欧姆接触不好、多次重复测试、测试后铟球不易去除等问题，且大大提高了电学性能测试中的测试结果的准确性和工作效率，提高了碲镉汞薄膜片的使用面积，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及红外探測器的碲镉汞(HghCdxTe)薄膜
，尤其涉及。
技术介绍
碲镉汞(HghCdxTe)三元合金化合物是ー种理想的用于制作红外探測器的重要半导体材料，由于其禁带宽度随组分的变化可以从零连续増大到I. 6eV,因此可用来制作几乎覆盖整个红外区域的各种响应波段的红外探测器，尤其是1-3 μ m、3-5 μ m和8_14 μ m的红外探測器，在预警探測、情报侦察、资源卫星以及气象卫星、农牧业、地震、火控、制导，太空 天文探測等领域已得到广泛应用并具有更广阔的潜在应用前景，目前碲镉汞材料是第三代红外焦平面探測器发展的重点和热点。对于碲镉汞红外探測器，材料的电学性能指标是直接决定探測器性能的重要參数。碲镉汞红外探測器材料的发展已有多年的历史，霍尔测试一直是获得碲镉汞材料电学參数的常规检测手段。由于红外器件对材料的电学參数有严格的要求，通过霍尔测试可以获得电学性能数据，以此来优化工艺并调整エ艺參数。碲镉汞材料的电学性能数据包括载流子浓度、迁移率和导电类型等。迁移率是衡量半导体材料导电性能的重要參数，它决定着半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。同时载流子浓度和导电类本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，将铝质烙铁头的烙铁温度调节到186～210摄氏度，使用助焊剂将纯度为99.999％以上的铟焊接到银丝引线的一端，形成铟球；所述铝质烙铁头的纯度为95％以上；步骤二，去除铟球表面附着的助焊剂；步骤三，将铝质烙铁头的烙铁温度调节到165～185摄氏度，将带有银丝引线的铟球焊接到碲镉汞薄膜片边缘上，制成测试电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许秀娟，折伟林，周翠，晋舜国，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：