晶圆边缘部分的处理方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种使用光刻设备处理晶圆边缘部分的方法。所述方法包括：将晶圆放置在支撑板上，检查放置在支撑板上的晶圆的边缘部分的光刻胶移除状态，及将放置在支撑板上的晶圆的边缘部分曝露于光。所述检查光刻胶移除状态通过从放置在支撑板上的晶圆捕捉第一图像和检查所述第一图像来执行。

【技术实现步骤摘要】

此处揭露的本专利技术涉及光刻设备，并由其涉及ー种晶圆边缘部分的处理方法和装直(apparatus；ο
技术介绍
一般的，半导体装置(device)是经过诸如如下エ艺的制造品用于在晶圆上形成层的沉积エ艺；用于平坦化该层的化学机械抛光エ艺；用于在该层上形成光刻胶图案的光刻エ艺；用于通过使用该光刻胶图案使该层形成为具有电学特性的图案的刻蚀エ艺；用于在晶圆的预定区域中注入离子的离子注入エ艺；用于从晶圆上移除污染物的清洗エ艺；及用于检查形成有层或图案的晶圆表面、或者层的组成或浓度的检查エ艺。执行光刻エ艺以在由硅形成的半导体晶圆上形成光刻胶图案。光刻エ艺包括用于在晶圆上形成光刻胶层的涂层和软烤エ艺；用于使该光刻胶层形成为光刻胶图案的曝光和显影エ艺；用于移除光刻胶层或图案的边缘部分的边缘光刻胶去除(EBR)エ艺和晶圆边缘曝光(EEW);及用于稳定和密化光刻胶图案的硬烘エ艺。执行EBRエ艺和EEWエ艺以移除光刻胶层或图案的边缘部分，也就是形成在晶圆的边缘部分上的光刻胶层或图案的部分，这是因为在稍后使用光刻胶层或图案的エ艺中分离光刻胶层或图案时，会产生污染物。但是，在现有的光刻设备中，EBR或EEWエ艺的进展状态不可被估计。
技术实现思路
本专利技术提供了晶圆边缘部分的处理方法和装置，以检查边缘光刻胶移除(EBR)エ艺和晶圆边缘曝光(EEW)エ艺的結果。本专利技术并不限定于上面提及的内容，并且本专利技术通过下面的描述将被本领域技术人员清楚的理解。本专利技术实施例提供了晶圆边缘部分的处理方法，该方法包括将晶圆放置在支撑板上；检查放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘部分的光刻胶移除状态；及将放置在所述支撑板上的所述晶圆的所述边缘部分曝露于光，其中所述检查光刻胶移除状态通过从放置在所述支撑板上的所述晶圆捕捉第一图像和检查所述第一图像来执行。在一些实施例中，所述方法可进ー步包括在曝光所述晶圆的所述边缘部分后，检查放置在支撑板上的所述晶圆的边缘曝光状态，其中所述检查边缘曝光状态可通过从放置在所述支撑板上的所述晶圆捕捉第二图像和检查所述第二图像执行。在其他实施例中，当放置在所述支撑板上的所述晶圆一度被旋转时，可使用固定到预定位置的成像照相机连续捕捉所述第一图像。又在其他实施例中，当放置在所述支撑板上的所述晶圆一度被旋转时，可使用固定到预定位置的成像照相机连续捕捉所述第一图像。又在其他实施例中，所述成像照相机可以是能够通过区域扫描方法捕捉图像的面型照相机(area camera)。又在其他实施例中，所述检测光刻胶移除状态可通过使用所述第一图像检测粒子和測量光刻胶移除区域的宽度来执行。又在本专利技术的其他实施例中，提供了晶圆边缘部分的处理方法，所述方法包括从晶圆的边缘部分移除光刻胶；检查所述晶圆的所述边缘部分的光刻胶移除状态；将所述晶圆的所述边缘部分曝露于光；及检查所述晶圆的所述边缘部分的曝光状态，其中所述检测光刻胶移除状态、所述边缘部分的曝光和所述检查曝光状态可使用相同的装置执行。在一些实施例中，所述检查光刻胶移除状态可通过获得所述晶圆的第一图像及检查所述第一图像来执行，以及所述检查曝光状态可通过获得所述晶圆的第二图像及检查所述第二图像来执行。在本专利技术的其他实施例中，提供了晶圆边缘部分的处理方法，所述方法包括将晶 圆放置在支撑板上；及检查放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘部分的光刻胶移除状态，其中所述检查光刻胶移除状态可通过从放置在所述支撑板上的所述晶圆的所述边缘部分捕捉第一图像及检查所述第一图像来执行。在一些实施例中，所述方法可进ー步包括在所述检查光刻胶移除状态后，将放置在所述支撑板上的所述晶圆的所述边缘部分曝露于光。在其他实施例中，所述方法可进ー步包括在将所述晶圆的所述边缘部分曝光后，检查放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘曝光状态。在又一些实施例中，所述检查边缘曝光状态可通过给放置在所述支撑板上的所述晶圆照相以获得不同于所述第一图像的第二图像及检查所述第二图像来执行。又在本专利技术的其他实施例中，提供了用于将晶圆边缘部分曝露于光的装置，所述装置包括用干支撑晶圆的支撑板；用于检测放置在所述支撑板上的被配置晶圆的偏心距的偏心距检测装置；用于从放置在所述支撑板的被配置晶圆的边缘部分捕捉第一图像的成像装置；用于以紫外线辐射所述晶圆的被配置边缘部分的紫外线辐射装置；和用于从所述成像装置接收所述第一图像以检测光刻胶移除区域的宽度的图像处理装置。在一些实施例中，当所述晶圆被旋转时，所述成像装置可间断地从所述晶圆的边缘部分捕捉所述第一图像。在其他一些实施例中，所述偏心距检测装置可包括电荷耦合装置(CXD)，所述成像装置可包括用于通过区域扫描方法捕捉图像的面型照相机。在本专利技术的进ー步的实施例中，晶圆处理装置包括包括装载端口和索引机械手的索引部，所述装载端ロ用于接收晶圆容纳盒子；连接到所述索引部的处理部，所述处理部包括用于施加光刻胶到晶圆的涂层处理部和用于在曝光エ艺后将晶圆显影的显影处理部；用于在所述处理部和曝光装置之间运载晶圆的接ロ部，所述曝光装置被配置用于对晶圆执行曝光工艺；及边缘曝光単元，所述边缘曝光単元用于将晶圆的边缘部分曝露于光及检查所述晶圆的所述边缘部分的光刻胶移除状态。在一些实施例中，所述边缘曝光単元可被设置在所述接ロ部或所述处理部处。在其他实施例中，所述边缘曝光単元可包括用干支撑晶圆的支撑板；用于检测放置在所述支撑板上的所述晶圆的偏心距的偏心距检测装置；用于从放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘部分捕捉第一图像的成像装置；用于以紫外线辐射所述晶圆的所述边缘部分的紫外线辐射装置；和图像处理装置，所述图像处理装置用于从所述成像装置接收所述第一图像以检测光刻胶移除区域的宽度。附图说明附图被包括在内以提供对本专利技术的进ー步的理解，并被合并在本说明书中及组成本说明书的一部分。附图示出了本专利技术的示例性实施方式，结合说明书一起，用于解释本专利技术的原理。在图中图I是示出了使用在根据本专利技术实施例的晶圆处理方法中的光刻设备的立体图；图2是示出了图I中的光刻设备的涂层エ艺部的图；图3是示出了图I中的光刻设备的显影エ艺部的图；图4是示出了边缘曝光单元的侧视图；·图5是示出了边缘曝光单元的平面图；及图6是用于解释晶圆边缘部分曝光方法的流程图。具体实施例方式现在參考根据本专利技术的示例性实施例的附图解释用于使用光刻设备处理晶圆边缘部分的方法。在图中，自始至终相同的附图标记表示相同的元件。此外，关于公知的功能或构造的细节描述将被排除以免不必要地模糊本专利技术的主題。(实施例)图I示出了使用在根据本专利技术实施例的晶圆处理方法中的光刻设备的立体图。图2示出了图I中的光刻设备的涂层エ艺部的图，及图3示出了图I中的光刻设备的显影エ艺部的图。參考图I至3，光刻设备(下面称为晶圆处理装置I)包括索引部100、处理部200、接ロ部700和曝光装置900。该索引部100、处理部200和接ロ部700和曝光装置900按预定的方向顺序布置在一条线上。在晶圆(W)被容纳在盒子20中时运载晶圆(W)。盒子20可被密封地闭合。例如，盒子20可以是具有前门的前端开ロ的统一片盒(FOUP)。(索引部)索引部100包括多个装载端ロ(load ports) 110、索引机器手120和第一缓冲模块 140。装载端ロ 110包括台11本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆边缘部分的处理方法，所述方法包括：将晶圆放置在支撑板上；检查放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘部分的光刻胶移除状态；及将放置在所述支撑板上的所述晶圆的所述边缘部分曝露于光，其中所述检查光刻胶移除状态通过从放置在所述支撑板上的所述晶圆捕捉第一图像和检查所述第一图像来执行。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金德植，申元权，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：