晶圆边缘部分的处理方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种使用光刻设备处理晶圆边缘部分的方法。所述方法包括：将晶圆放置在支撑板上，检查放置在支撑板上的晶圆的边缘部分的光刻胶移除状态，及将放置在支撑板上的晶圆的边缘部分曝露于光。所述检查光刻胶移除状态通过从放置在支撑板上的晶圆捕捉第一图像和检查所述第一图像来执行。

【技术实现步骤摘要】

此处揭露的本专利技术涉及光刻设备，并由其涉及ー种晶圆边缘部分的处理方法和装直(apparatus；ο
技术介绍
一般的，半导体装置(device)是经过诸如如下エ艺的制造品用于在晶圆上形成层的沉积エ艺；用于平坦化该层的化学机械抛光エ艺；用于在该层上形成光刻胶图案的光刻エ艺；用于通过使用该光刻胶图案使该层形成为具有电学特性的图案的刻蚀エ艺；用于在晶圆的预定区域中注入离子的离子注入エ艺；用于从晶圆上移除污染物的清洗エ艺；及用于检查形成有层或图案的晶圆表面、或者层的组成或浓度的检查エ艺。执行光刻エ艺以在由硅形成的半导体晶圆上形成光刻胶图案。光刻エ艺包括用于在晶圆上形成光刻胶层的涂层和软烤エ艺；用于使该光刻胶层形成为光刻胶图案的曝光和显影エ艺；用于移除光刻胶层或图案的边缘部分的边缘光刻胶去除(EBR)エ艺和晶圆边缘曝光(EEW);及用于稳定和密化光刻胶图案的硬烘エ艺。执行EBRエ艺和EEWエ艺以移除光刻胶层或图案的边缘部分，也就是形成在晶圆的边缘部分上的光刻胶层或图案的部分，这是因为在稍后使用光刻胶层或图案的エ艺中分离光刻胶层或图案时，会产生污染物。但是，在现有的光刻设备中，EBR或EEW本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆边缘部分的处理方法，所述方法包括：将晶圆放置在支撑板上；检查放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘部分的光刻胶移除状态；及将放置在所述支撑板上的所述晶圆的所述边缘部分曝露于光，其中所述检查光刻胶移除状态通过从放置在所述支撑板上的所述晶圆捕捉第一图像和检查所述第一图像来执行。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金德植，申元权，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：