【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及。
技术介绍
目前太阳电池的生产应用发展迅速，其中晶体硅太阳电池占据主流地位，普通的晶体硅电池采用“化学清洗制绒-高温气体扩散制Pn结-PECVD镀制减反射膜-丝网印刷金属浆料-高温烧结金属电极”的制作工艺，电池光电转换效率可到17%-18%。为进一步提高电池的效率，出现许多新的技术，其中选择性发射极是目前被认为未来一个主流的高效电池新技术。普通的高温气体扩散掺杂制pn结的技术可以在电池形成一个较均匀掺杂层，即形成太阳电池的发射极。这个掺杂层与基底形成Pn结，掺杂浓度越高，掺杂层的方块电阻越低。但是均匀单一掺杂层的掺杂浓度必须考虑各方面的不同要求，如果表面掺杂浓度太高，会使光生载流子在表面的复合速率增加，从而增加了电流的内部消耗，输出的电流电压降低；如果表面掺杂浓度太低，那么与金属电极的接触电阻增加，电池的输出电流电压也会降低。选择性发射极根据上述的矛盾，采用了高低结合的选择性扩散方案，即在一般区域采用低掺杂浓度，在与电极接触区域采用高掺杂浓度的方案。实现这一结构有多种技术手段，一般先采用常规的气体扩散掺杂，再进行后处理...
【技术保护点】
一种选择性掺杂区域特性的检测方法，其特征是：采用光束诱导电流技术即聚焦激光束在硅片表面扫描，同时记录扫描各点时产生的光电流值，通过测量选择性掺杂前后光电流的变化情况，获得选择性掺杂区域的特性。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈辉，王学孟，林杨欢，
申请(专利权)人：顺德中山大学太阳能研究院，
类型：发明
国别省市：
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