测试针头和半导体测试治具的形成方法技术

一种测试针头和半导体测试治具的形成方法，其中所述测试针头形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一测试针；在第一测试针的侧壁上形成绝缘层；在绝缘层的表面形成第二测试针，所述第二测试针环绕所述第一测试针。本发明专利技术方法形成的测试针头的机械强度增强，在进行电学性能测试时，提高了测试的精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体测试
，特别涉及一种测试针头和半导体测试治具的形成方法。
技术介绍
测试制程乃是于IC封装后，测试封装完成的产品的电性功能，以保证出厂IC功能上的完整性，并对已测试的产品依其电性功能作分类，作为IC不同等级产品的评价依据，最后并对产品作外观检验作业。电性功能测试乃针对产品之各种电性参数进行测试以确定产品能正常运作。传统的同一被测端子上两点接触的测试如开尔文测试等，多采用双顶针或双金手指平行并列分布的方式，其主要存在以下不足：1、制造精度较低：随着半导体产品尺寸的不断缩小，被测端子的尺寸以及不同被测端子间的间距也在不断缩小，为了顺应这一趋势，传统平行并列分布的双顶针或双金手指测试方式在其密间距的问题上瓶颈日益突出，精度要求越来越高，有些甚至已无法实现了。2、结构强度较弱：为了在被测端子上有限的空间内实现两点接触测试，顶针或金手指相应越来越细，其机械结构强度也越来越弱。3、使用寿命较短：传统的顶针或金手指的测试接触头较易受磨损本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试针头的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一测试针；在第一测试针的侧壁上形成绝缘层；在绝缘层的表面形成第二测试针，所述第二测试针环绕所述第一测试针。

【技术特征摘要】
1.一种测试针头的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成第一测试针；
在第一测试针的侧壁上形成绝缘层；
在绝缘层的表面形成第二测试针，所述第二测试针环绕所述第一测试针。
2.如权利要求1所述的测试针头的形成方法，其特征在于，所述第一测试针
的形成过程为：在所述基底上形成第一金属层；刻蚀所述第一金属层形成
第一测试针。
3.如权利要求1所述的测试针头的形成方法，其特征在于，所述第一测试针
的形成过程为：在所述基底上形成牺牲层，所述牺牲层中具有暴露出基底
表面的通孔；在所述通孔中填充满第一金属层，形成第一测试针；去除所
述牺牲层。
4.如权利要求2或3所述的测试针头的形成方法，其特征在于，所述绝缘层
和第二测试针的形成过程为：形成覆盖所述第一测试针侧壁和顶部表面的
绝缘薄膜层；无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述绝缘薄膜层在第一测试针的侧壁形
成绝缘层；形成覆盖所述绝缘层和第一测试针顶部表面的第二金属层；无
掩膜刻蚀所述第二金属层，在绝缘层表面形成第二测试针。
5.如权利要求1所述的测试针头的形成方法，其特征在于，所述第一探测针、
第二探测针和绝缘层的形成过程为：在所述基底上形成介质层，所述介质
层中形成有第一通孔和环绕所述第一通孔的环形通孔，第一通孔和环形通
孔之间通过部分介质层隔离；在第一通孔中填充金属形成第一测试针，在
环形通孔中填充第二金属形成第二测试针；去除第二测试针外侧的介质层，
第一测试针和第二测试针之间的介质层作为绝缘层。
6.一种半导体测试治具的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成若干第一测试针；
在每个第一测试针的侧壁上形成绝缘层；
在绝缘层的表面形成第二测试针，所述第二测试针环绕相应的第一测试针。
7.如权利要求6所述的半导体测试治具的形成方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：石磊，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32