半导体测试治具制造技术

一种半导体测试治具，包括：基底，所述基底包括若干测试区域；位于基底的每个测试区域上的至少一排测试针头，每个测试针头包括第一测试针，所述第一测试针包括第一本体、位于第一本体一端的第一测试端以及位于第一本体另一端的第一连接端；覆盖所述第一测试针的第一本体表面的绝缘层；位于绝缘层表面环绕所述第一测试针的第二测试针，第二测试针与第一测试针同轴，第二测试针包括第二本体、位于第二本体一端的第二测试端以及位于第二本体另一端的第二连接端，所述第二测试端表面与第一测试端表面齐平。本发明专利技术半导体测试治具可以同时对多个待测试封装结构进行测试，提高了测试的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体测试
，特别涉及一种半导体测试治具。
技术介绍
测试制程乃是于IC封装后，测试封装完成的产品的电性功能，以保证出厂IC功能上的完整性，并对已测试的产品依其电性功能作分类，作为IC不同等级产品的评价依据，最后并对产品作外观检验作业。电性功能测试乃针对产品之各种电性参数进行测试以确定产品能正常运作。传统的同一被测端子上两点接触的测试如开尔文测试等，多采用双顶针或双金手指平行并列分布的方式，其主要存在以下不足：1、制造精度较低：随着半导体产品尺寸的不断缩小，被测端子的尺寸以及不同被测端子间的间距也在不断缩小，为了顺应这一趋势，传统平行并列分布的双顶针或双金手指测试方式在其密间距的问题上瓶颈日益突出，精度要求越来越高，有些甚至已无法实现了。2、结构强度较弱：为了在被测端子上有限的空间内实现两点接触测试，顶针或金手指相应越来越细，其机械结构强度也越来越弱。3、使用寿命较短：传统的顶针或金手指的测试接触头较易受磨损，尤其<br>在精度提出更高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体测试治具，其特征在于，包括：基底，所述基底包括若干测试区域；位于基底的每个测试区域上的至少一排测试针头，每个测试针头包括第一测试针，所述第一测试针包括第一本体、位于第一本体一端的第一测试端以及位于第一本体另一端的第一连接端；覆盖所述第一测试针的第一本体表面的绝缘层；位于绝缘层表面环绕所述第一测试针的第二测试针，第二测试针与第一测试针同轴，第二测试针包括第二本体、位于第二本体一端的第二测试端以及位于第二本体另一端的第二连接端，所述第二测试端表面与第一测试端表面齐平。

【技术特征摘要】
1.一种半导体测试治具，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括若干测试区域；
位于基底的每个测试区域上的至少一排测试针头，每个测试针头包括第一
测试针，所述第一测试针包括第一本体、位于第一本体一端的第一测试端以
及位于第一本体另一端的第一连接端；覆盖所述第一测试针的第一本体表面
的绝缘层；位于绝缘层表面环绕所述第一测试针的第二测试针，第二测试针
与第一测试针同轴，第二测试针包括第二本体、位于第二本体一端的第二测
试端以及位于第二本体另一端的第二连接端，所述第二测试端表面与第一测
试端表面齐平。
2.如权利要求1所述的半导体测试治具，其特征在于，每个测试区域上的若
干测试针头对一个待测试封装结构中的若干被测试端子进行测试。
3.如权利要求1所述的半导体测试治具，其特征在于，所述测试区域的数量
≥2个，每个测试区域中，测试针头的排数≥1排，每一排中测试针头的数
量≥2个。
4.如权利要求1所述的半导体测试治具，其特征在于，所述第一测试针的直
径为500纳米～500微米，绝缘层的宽度为80纳米～400微米，第二测试针
的宽度为60纳米～300微米。
5.如权利要求4所述的半导体测试治具，其特征在于，所述绝缘层的材料为
氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：石磊，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32