【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种SOI晶圆的制造方法，其包括：将从通过提拉法而生长的单晶硅锭切割出的硅晶圆作为接合晶圆而进行准备的工序、在该准备好的硅晶圆上形成氧化膜的工序、从成为形成有该氧化膜的硅晶圆的贴合面的表面通过所述氧化膜进行离子注入，在所述硅晶圆中形成离子注入层的工序、将形成有该离子注入层的硅晶圆与基底晶圆贴合，将所述硅晶圆在所述离子注入层处进行剥离从而分离成剥离晶圆与SOI晶圆的工序，其特征在于，在所述氧化膜形成工序前，进行对所述准备好的硅晶圆在氧化性气氛下用1100℃～1250℃的温度实施30分钟～120分钟的热处理的工序，以及对成为该热处理后的硅晶圆的贴合面的表面进行研磨的工序。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：曲伟峰，田原史夫，大井裕喜，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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