本发明专利技术提供一种可夹持晶圆的夹具。本发明专利技术所述的用于在半导体晶圆制造过程中夹持晶圆以对其进行腐蚀的夹具，包括第一夹持件，与第一夹持件枢接的第二夹持件，所述第一夹持件上设置有第一孔部，围绕所述第一孔部设置有第一密封件，在所述第一夹持件和所述第二夹持件压合后，第一孔部形成用以腐蚀夹持在所述第一夹持件和所述第二夹持件之间的晶圆的第一通道，所述第一密封件将晶圆待腐蚀区域与其它区域隔离开。通过本发明专利技术所述的夹具，可在晶圆制备过程中夹持晶圆以进行腐蚀，从而进行例如放大测试等工序。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造，尤其涉及半导体制造过程中可夹持晶圆的夹持器件。
技术介绍
半导体器件的制造过程包括一系列的检查工艺，以判断形成在晶圆上的芯片优良与否。Hfe (Hybrid Forward Common Emitter)测试便是检查工艺中较为重要的一个环节。Hfe测试的本质就是测试三极管的电流放大倍数。众所周知，在功率晶体管的生产过程中，Hfe控制、VCBO、VCEO和VFBE的监控极为重要且具有一定的难度，其中又以Hfe的控制难度最高。在功率晶体管的制备过程中实时测控Hfe基本难以实现，当前的方式是在功率晶体管制备完成后再去测试Hfe。在此，简单描述Hfe测试工艺如下:从一批晶圆中选择一个先行片，使其进入后续的制备流程，在进行到特性测试阶段(亦即，晶体管的制备基本完工)；然后将特性测试的结果反馈给放大控制工序，确定相应的放大控制时间。如果第一个先行片的Hfe控制偏差比较大，则再以第二个先行片来测试，如此直到Hfe符合控制要求。如上所述的Hfe控制过程较长，在生产过程中不能对VCB0、VCE0和VFBE等参数进行实时监控，不能对晶圆的击穿特性曲线进行监控，不能及时发现软件击穿、管道等击穿不良。但如果要在晶圆制备工艺过程中利用测试晶圆进行放大测试(例如在特定调整Hfe放大控制工序中对晶圆进行测试)，则缺少夹持晶圆以进行测试的设备。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种可夹持晶圆的夹具，其可在晶圆的制备过程中，例如特定调整Hfe放大控制工序中用来夹持晶圆，并呈现出到晶圆的通道以便通过该通道来腐蚀晶圆从而进行相关测试，由此来解决以上及其它问题。本专利技术所述的用于在半导体晶圆制造过程中夹持晶圆以对其进行腐蚀的夹具，包括第一夹持件，与第一夹持件枢接的第二夹持件，所述第一夹持件上设置有第一孔部，围绕所述第一孔部设置有第一密封件，在所述第一夹持件和所述第二夹持件压合后，第一孔部形成用以腐蚀夹持在所述第一夹持件和所述第二夹持件之间的晶圆的第一通道，所述第一密封件将晶圆待腐蚀区域与其它区域隔离开。优选地，所述第二夹持件上设置有第二孔部，围绕所述第二孔部设置有第二密封件，在所述第一夹持件和所述第二夹持件压合后，第二孔部形成用以腐蚀夹持在所述第一夹持件和所述第二夹持件之间的晶圆的第二通道，所述第二密封件将晶圆待腐蚀区域与其它区域隔离开。优选地，所述第一孔部的边缘向内凹陷，所述第一密封件设置在该凹陷内，所述第二孔部的边缘向内凹陷，所述第二密封件设置在该凹陷内，在所述第一夹持件和所述第二夹持件压合后，所述第一密封件与所述第二密封件分别紧密贴合所述晶圆。优选地，所述第一夹持件还包括围绕所述第一孔部用于限制晶圆的第一限制件。优选地，由所述第一限制件包围的区域比所述第一夹持件上在第一限制件之外的区域低。优选地，所述第一限制件包围的区域比所述第一夹持件上在第一限制件之外的区域低晶圆的厚度。优选地，所述第一夹持件还包括围绕所述第一孔部用于限制晶圆的第一限制件，及所述第二夹持件还包括围绕所述第二孔部用于限制晶圆的第二限制件。优选地，第一限制件包围的区域略低于第一限制件以外的区域，第二限制件包围的区域略低于第二限制件以外的区域。优选地，在所述第一夹持件和所述第二夹持件压合后，所述第一限制件包围的区域与所述第二夹持件所包围的区域形成的用于容置晶圆的区域的高度与晶圆的厚度相当。优选地，所述第一夹持件包括第一夹板，与所述第一夹板固定连接的第一手柄，其中所述第一孔部、第一密封圈、以及第一限制件设置于所述第一夹板。优选地，所述第二夹持件包括第二夹板，与所述第二夹板固定连接的第二手柄，其中所述第二孔部、第二密封圈、以及第二限制件设置于所述第二夹板。优选地，所述第一夹持件和所述第二夹持件对称设置。优选地，所述第一手柄设置有第一锁定件，第二手柄设置有第二锁定件，第一锁定件包括固定在第一手柄中的销以及与该销露出在第一手柄外的端部枢接的搭扣，第二锁定件包括固定在第二手柄中并露出部分端部的销，所述搭扣在所述第一夹持件与第二夹持件压合后可搭接在所述第二锁定件所露出的部分端部。本专利技术所述的夹具可以将晶圆待腐蚀的区域通过该夹具的第一通道和/或第二通道曝露出来，以便利用腐蚀溶液进行腐蚀；同时设置在第一孔部和第二孔部的密封件可有效防止腐蚀溶液腐蚀到其它不需要腐蚀的区域。在本申请的所有描述中，当夹具用在特定调整Hfe放大控制工序中时，所要夹持的晶圆为测试用晶圆，或者为先行片。附图说明图1是根据本专利技术所述的夹具的一个示例的结构示意图。图2是本专利技术示例中第一夹持件10与第二夹持件20压合后的示意图。具体实施例方式以下结合附图进一步说明本专利技术。本领域技术人员可以理解到，以下只是结合具体的实施方式来对本专利技术的主旨进行说明，并不就此限定本专利技术的实施。本专利技术所主张的范围由所附的权利要求确定，任何不脱离本专利技术精神的修改、变更都应由本专利技术的权利要求所涵盖。图1是根据本专利技术所述的夹具的一个示例的结构示意图。该夹具用于在半导体晶圆制造过程中夹持晶圆以对其进行腐蚀，如图所示，夹具I包括第一夹持件10和第二夹持件20。第一夹持件10与第二夹持件20通过连接部件12枢接在一起，使得第一夹持件10和第二夹持件20可绕该连接部件12相对转动。在第一夹持件上，设置有第一孔部101，围绕该第一孔部101设置有耐腐蚀的密封件102，在第一夹持件10和第二夹持件20压合后，第一孔部101形成用来腐蚀夹持在第一夹持件10和第二夹持件20之间的晶圆(未图示)的第一通道，且该密封件102将要腐蚀的晶圆区域与晶圆的其它区域隔离开。优选地，该耐腐蚀的密封件102设置在第一孔部101的内侧。在该示例中，第二夹持件20上设置有第二孔部201，围绕该第二孔部201设置有密封件202，在第一夹持件10和第二夹持件20压合后，第二孔部201形成用来腐蚀夹持在第一夹持件10和第二夹持件20之间的晶圆区域隔离开。在该示例中，第一通道和第二通道在第一夹持件10与第二夹持件20压合之后，分别对应于晶圆的不同表面。示例性地，耐腐蚀的第一密封件102和耐腐蚀第二密封件202分别设置在第一孔部101及第二孔部201的内侧。可选地，第一密封件102和第二密封件202分别设置在第一孔部101及第二孔部201的整个内侧；作为替代，第一密封件102和第二密封件202也可只分别设置在第一孔部101及第二孔部201的部分内侧上，该部分内侧为靠近晶圆的内侦牝比如:第一孔部101和第二孔部201的边缘分别向内凹陷，从而使得耐腐蚀的第一密封件102和耐腐蚀的第二密封件202分别设置在第一孔部101及第二孔部201的凹陷内。无论密封件以何种方式设置在第一孔部101和第二孔部201的内侧，在第一夹持件10和第二夹持件20压合后，第一密封件102和第二密封件202分别紧密贴合晶圆。进一步，示例但非限制性地，第一夹持件10还包括围绕第一孔部101设置的第一限制件103，第二夹持件20包括围绕第二孔部102设置的第二限制件203。第一限制件103所围绕的区域104可低于第一夹持件10上在第一限制件103外部的区域105，第二限制件203所围绕的区域可低于第二夹持件20上在第二限制件203外部的区域205。在第一夹持件10与第二夹持件20压合之后，第一本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于在半导体晶圆制造过程中夹持晶圆以对其进行腐蚀的夹具，其特征在于，所述夹具包括第一夹持件，与第一夹持件枢接的第二夹持件，所述第一夹持件上设置有第一孔部，围绕所述第一孔部设置有第一密封件，在所述第一夹持件和所述第二夹持件压合后，第一孔部形成用以腐蚀夹持在所述第一夹持件和所述第二夹持件之间的晶圆的第一通道，所述第一密封件将晶圆待腐蚀区域与其它区域隔离开。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张广冰，袁敏杰，姚承锡，季勇，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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