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本发明公开了一种IC封装凸块的制造工艺，包括如下步骤：提供一硅片，硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在硅片上至少形成一双层凸块，双层凸块覆盖铝垫及硅片护层；在硅片上还至少形成一保护层，在保护层上至少形成一导电层；在硅片表面上至少形成一层厚...
该专利属于江苏汇成光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏汇成光电有限公司授权不得商用。

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