用于制造贯穿衬底的微通道的方法技术

本发明专利技术公开一种在集成电路中形成大的微通道的方法，其通过在衬底内蚀刻被包围的沟槽并随后薄化后侧以露出沟槽的底部并且去除被沟槽包围的材料以形成大的微通道。同时形成大的和小的微通道的方法。在微通道周围的衬底的后侧形成结构以配合另一器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及集成电路领域。更具体地，本专利技术涉及创建贯穿集成电路晶片的微通道。
技术介绍
电路越来越多地被集成到化学分析系统中。对于这些应用，需要从外部源提供液体到集成硅微电路传感器。这种微电路可以组合电信号部件、传感器部件和液体通道以向特定传感器输送流体以便测试和电子记录或者注射样本到微分析板中。有时期望数十、数百或者甚至数千的不同液体配方被输送到这种微电路中。应用可以包括例如化学物质的分析、体液、DNA序列和核苷酸的分析以及其它医疗应用。另外，随着集成电路继续扩大，电路密度和功率密度増加。这就必须开发从集成电 路有效地去除热的方式。一种这种方式是将微通道构建到集成电路中，通过该微通道可以泵送冷却剤。当叠置多个芯片在多芯片模块中时，可以期望从上部芯片到下部芯片运行信号。可以形成大的贯穿硅通孔以提供通道，通过该通道导线从上部芯片穿到下部芯片。形成微通道的ー个方法是使用激光钻孔，其限制可以形成的微通道的数量，因为他们一次只能被钻ー个。第二个方法是使用深反应离子蚀刻(DRIE)，其较耗时，特别是如果要形成大直径的微通道。第三个方法是使用例如诸如四甲替氢氧化铵(TMAH)这样的蚀刻剂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.15 US 12/761,0851.一种形成带有微通道的集成电路的方法，所述方法包括 在所述集成电路上的光致抗蚀剂中形成微通道图案，其中至少一个所述微通道图案是包围所述集成电路的一部分的沟槽图案； 将所述沟槽蚀刻入所述集成电路的衬底； 将所述集成电路的所述衬底的后侧薄化以露出所述沟槽的底部；以及 去除所述集成电路的所述部分以形成所述微通道。2.根据权利要求I所述的方法，还包括在薄化所述后侧之前，用沟槽填充材料填充所述沟槽；以及在薄化所述后侧之后，去除所述沟槽填充材料。3.根据权利要求I所述的方法，其中在形成所述微通道图案之前所述集成电路被制造；以及在所述沟槽被蚀刻到所述衬底中之前所述沟槽被蚀刻贯穿形成所述集成电路的层。4.根据权利要求I所述的方法，其中在所述微通道形成之后所述集成电路被制造。5.一种形成带有微通道的集成电路的方法，包括 在形成电路结构之前在所述集成电路的衬底上形成至少两个微通道图案；其中所述至少两个微通道图案中的至少一个是包围所述衬底的一部分的沟槽图案； 将所述沟槽蚀刻到所述衬底中； 用沟槽填充材料填充所述沟槽，所述沟槽填充材料能够承受用于形成所述电路结构的处理条件； 去除所述沟槽填充材料的过填充； 在包含所述沟槽的所述衬底上形成电路结构； 将所述衬底的后侧薄化以露出所述沟槽的底部；从所述沟槽去除所述材料；以及 去除所述衬底的所述部分。6.根据权利要求5所述的方法，还包括在用所述沟槽填充材料填充所述沟槽之前在所述沟槽的侧壁上形成电介质衬里。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述电介质层是氧化物、氮化物和氮氧化物中的至少一种，并且其中所述沟槽填充材料是多晶硅。8.根据权利要求5所述的方法，其中所述衬底的所述被包围部分的至少一个维度大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·M·雅各布森，B·N·伯吉斯，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：
国别省市：