形成具有无芯封装件的功能化载体结构制造技术

记载了一种形成微电子封装结构的方法和由此形成的相关结构。这些方法可包括：将管芯附连于载体材料，其中载体材料包括由蚀刻停止层隔开的顶层和底层；与管芯毗邻地形成绝缘材料，通过在介电材料上堆积多个层而形成无芯衬底，并随后从底层载体材料上去除顶层载体材料和蚀刻停止层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成具有无芯封装件的功能化载体结构
技术介绍
随着较高处理器性能的半导体技术进步，封装架构的进步可包括无芯无焊点堆积层(BBUL-C)封装件架构以及其它这类组成。BBUL-C封装件的当前工艺流程涉及在包覆以铜箔的临时芯/载体上构筑衬底，在封装件从芯分离后，该铜箔被蚀刻掉。附图简述尽管说明书以特别指出和清楚要求本专利技术某些实施例的权利要求书作为结束，然而当结合附图阅读时本专利技术的优点能从本专利技术下面的描述中更容易地确定，在附图中图Ia-Ih示出形成根据本专利技术一实施例的结构的方法。图2a_2e示出形成根据本专利技术一实施例的结构的方法。图3示出根据本专利技术一实施例的系统。专利技术详述在下面的详细描述中，各附图被给予附图标记，这些附图标记借助示例示出了可将这些方法投入实践的具体实施例。这些实施例被足够详细地描述以允许本领域内技术人员能将这些实施例用于实践。要理解尽管各实施例是不同的，但不一定是互斥的。例如，本文结合一个实施例所描述的具体特征、结构或特性可实现在其它实施例中而不脱离这些实施例的精神和范围。另外要理解，可改变每个披露的实施例中的各要素的位置或排列而不脱离这些实施例的精神和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.16 US 12/761,7821.一种方法，包括 在载体材料中形成空腔，其中所述载体材料包括由蚀刻停止层隔开的顶层和底层； 将管芯附连在所述空腔内； 与所述管芯毗邻地并所述载体材料底层上形成绝缘材料； 通过在所述绝缘材料上堆积多个层来形成无芯衬底；以及 从所述载体材料的底层去除所述载体材料顶层和蚀刻停止层。2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述载体材料的底层保持附连于所述无芯衬底。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述载体材料的底层包括热扩散器、EMI屏蔽结构和加固结构中的至少一者。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述加固结构包括在所述管芯周围的铜环。5.如权利要求I所述的方法，其特征在于，还包括当所述载体材料顶层和蚀刻停止层位于所述无芯衬底上时将所述载体材料顶层和蚀刻停止层去除。6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述加固结构不采用粘附剂地附连于所述衬底。7.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述载体材料包括铜。8.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述无芯衬底包括一部分无芯、无焊点的堆积层封装件。9.一种方法，包括 将管芯附连于载体材料，其中所述载体材料包括由蚀刻停止层隔开的顶层和底层； 与所述管芯毗邻地并在所述载体材料的底层上形成绝缘材料； 在所述管芯区内形成管芯焊盘互连结构； 在非管芯区内形成通孔以与所述底层载体材料相连； 通过在所述绝缘材料上堆积多个层来形成无芯衬底；以及 从所述底层载体材料去除所述顶层载体材料和蚀刻停止层。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括对所述底层载体材料布图以形成电感器和PoP焊区结构中的至少一者。11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述底层载体材料不采用粘合剂地附连于所述无芯封装件。12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述无芯衬底包括一部分无芯、无焊点的堆积层封装件。13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述PoP焊区结构的顶表面与所述无芯无焊点堆积封装件的顶表面共面。14.一种结构,包括 嵌入到无芯衬底中的管芯； 与所述管芯毗邻的绝缘材料； 设置在所述管芯的管芯焊盘区内的管芯焊盘互连结构；以及 设置在所述无芯衬底中的至少一个功...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·K·纳拉，H·R·阿兹米，J·S·古扎克，J·S·冈萨雷斯，D·W·德莱尼，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：
国别省市：