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本发明公开一种在集成电路中形成大的微通道的方法，其通过在衬底内蚀刻被包围的沟槽并随后薄化后侧以露出沟槽的底部并且去除被沟槽包围的材料以形成大的微通道。同时形成大的和小的微通道的方法。在微通道周围的衬底的后侧形成结构以配合另一器件的方法。...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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