凸块制造工艺及其结构制造技术

本发明专利技术有关一种凸块制造工艺及其结构。其中制造工艺包括：提供一基板；形成一含铜金属层于该基板，含铜金属层具有第一区及第二区；形成一光阻层于含铜金属层；图案化光阻层；形成铜凸块且各铜凸块具有一第一顶面；形成一导接层于第一顶面，该导接层具有一第二顶面；移除光阻层；移除第二区，并使第一区形成一凸块下金属层，各凸块下金属层具有一第一外周壁，各铜凸块具有一第二外周壁，导接层具有一第三外周壁；形成一防游离层，防游离层具有一覆盖基板的第一覆盖段、一覆盖第一外周壁、第二外周壁及第三外周壁的第二覆盖段、一第三覆盖段及一移除段是覆盖该第二顶面；形成一介电层于防游离层；图案化该介电层；及移除该移除段以显露该第二顶面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种凸块制造工艺，特别是涉及一种可防止铜离子游离的凸块制造工艺。
技术介绍
如图IA至1H，现有习知凸块制造工艺是至少包含下列步骤首先，请参阅图1A，提供一基板10，该基板10是具有一表面11、多个设置于该表面11的焊垫12及一形成于该表面11的保护层13，该保护层13是显露上述焊垫12 ;接着，请参阅图1B，形成一含铜金属层20于上述焊垫12及该保护层13 ;之后，请参阅图1C，形成一光阻层30于该含铜金属层20 ；接着，请参阅图1D，图案化该光阻层30以形成多个开口 31 ;之后，请参阅图1E，形成多个铜凸块40于上述开口 31内，各该铜凸块40是具有一第一外周壁41 ;接着，请参阅图1F，形成 一导接层50于上述铜凸块40 ;之后，请参阅图1G，移除该光阻层30，最后，请参阅图IHdlJ用蚀刻方法移除未被上述铜凸块40覆盖的该含铜金属层20以形成一凸块下金属层21，各该凸块下金属层21是具有一第二外周壁21a，然在进行移除未被上述铜凸块40覆盖的该含铜金属层20的步骤时，由于上述铜凸块40的材质是包含有铜，因此上述铜凸块40会同时与该含铜金属层20 —起被蚀刻而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种凸块制造工艺，其特征在于至少包含：提供一基板，该基板是具有一表面及多个设置于该表面的焊垫，各该焊垫是具有一显露面及一环壁；形成一含铜金属层于该基板并覆盖上述焊垫，该含铜金属层是具有多个第一区及多个第二区；形成一光阻层于该含铜金属层；图案化该光阻层以形成多个开口，上述开口是对应上述第一区；形成多个铜凸块于上述开口内，各该铜凸块是覆盖该含铜金属层的各该第一区且各该铜凸块是具有一第一顶面；形成一导接层于上述铜凸块的上述第一顶面，该导接层是具有一第二顶面且该导接层是包含有一镍层及一接合层，该镍层是位于该铜凸块与该接合层之间；移除该光阻层；移除该含铜金属层的上述第二区，并使该含铜金属层的各该第一区形...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢庆堂，郭志明，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：