GF2结构触摸屏及其制造工艺制造技术

本发明专利技术提供一种GF2结构触摸屏及其制造工艺。所述GF2结构触摸屏包括，具有A面、B面两相对表面的基材层；以及自所述A面向外，依次叠设的曝光银胶层、透明光学双面胶层、盖板玻璃层；所述B面叠设有纳米银层；或，自所述A面向外，依次叠设的纳米银层、透明光学双面胶层、盖板玻璃层；所述B面叠设有曝光银胶层。本发明专利技术GF2结构触摸屏以纳米银层和曝光银胶层取代了现有的ITO导电材料，线宽可以达到2微米及以下，在实现触摸屏轻薄化的同时，还实现触摸屏的低阻抗和高透过率，并保持触摸屏的光学性能与现有双面ITO触摸屏相当。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于触摸屏
，具体涉及一种GF2结构触摸屏及其制造工艺。
技术介绍
在手机或者笔记本/平板电脑以及所有人机触摸屏互动设备的设计和生产过程中，薄膜触摸屏一般由双面ITO技术制作。而目前传统的双面ITO氧化铟锡技术获得的触摸屏结构如图1所示：自PET基材1一表面向外依次叠设ITO层2、透明光学双面胶层3、PET基材层2、ITO层2、透明光学双面胶层3、盖板玻璃层4。现有的产品结构中，需要两层ITO导电材料以及两层透明光学双面胶。这种触摸屏结构厚且复杂，双层ITO以及双层透明光学双面胶还造成生产成本的浪费，加工也十分繁琐。为此，有必要提出一种新的触摸屏结构。
技术实现思路
针对目前双面ITO技术制造的薄膜触摸屏结构厚且复杂、生产成本高、加工繁琐等问题，本专利技术实施例提供了一种GF2结构触摸屏及其制造工艺。为了实现上述专利技术目的，本专利技术实施例的技术方案如下：一种GF2结构触摸屏，包括，具有A面、B面两相对表面的基材层；以及自所述A面向外，依次叠设的曝光银胶层、透明光学双面胶层、盖板玻璃层；所述B面叠设有纳米银层；或，自所述A面向外，依次叠设的纳米银层、透明光学双面胶层、盖板玻璃层；所述B面叠设有曝光银胶层。以及，如上所述的GF2结构触摸屏的制造工艺，至少包括以下步骤：对一表面叠设有纳米银层的基材进行缩水处理；将干膜贴附于所述纳米银层表面，然后对所述基材进行片材切割处理；对所述干膜进行曝光、显影处理；在所述基材的另一表面进行曝光银胶的涂覆处理；对所述曝光银胶进行预烘烤处理，获得曝光银胶层；对所述曝光银胶层进行曝光、显影处理；对所述曝光银胶层进行固烤处理。上述实施例中的GF2结构触摸屏，以纳米银层和曝光银胶层取代了现有的ITO导电材料，线宽可以达到2微米及以下，在实现触摸屏轻薄化的同时，还实现触摸屏的低阻抗和高透过率，并保持触摸屏的光学性能与现有双面ITO触摸屏相当。上述实施例提供的GF2结构触摸屏的制造工艺，只在需要图形的位置印刷感光银浆，并经过曝光、显影保留所需要的图案即可，而不需要的图案则被清洗掉，减少了导电材料的浪费，提高了导电材料的利用率，能够极大的降低透明导电膜的生产成本；与此同时，由于曝光银浆Metal mesh是以感光导电银物质替换ITO，可实现触摸屏的低电阻和挠曲性，但不降低光学性能。附图说明下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中：图1是现有技术中双面ITO薄膜触摸屏结构示意图；图2是本专利技术实施例GF2结构触摸屏结构示意图；图3是本专利技术实施例GF2结构触摸屏的另一结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图2所示，本专利技术实例提供了一种GF2结构触摸屏，包括，具有A面、B面两相对表面的基材层1；以及自所述A面向外，依次叠设的曝光银胶层5、透明光学双面胶层3、盖板玻璃层4；所述B面叠设有纳米银层6；或，如图3所示，自所述A面向外，依次叠设的纳米银层6、透明光学双面胶层3、盖板玻璃层4；所述B面叠设有曝光银胶层5。其中，在优选实施例中，基材层1由PET材料构成，所述PET材料构成的基材层1的厚度为50～125μm。在任一实施例中，曝光银胶层6由银浆涂覆而成。优选地，构成所述曝光银胶层6的银浆的粘度为100～120dpa.s；将该粘度范围内的银浆涂覆于基材层1的表面时，银浆既不成股流动，也不过于粘稠。进一步优选地，所述曝光银胶层6的厚度为2～5μm，该厚度的曝光银胶层6高度差低，更容易隐藏和脱泡、方便曝光和显影。在一优选实施例中，纳米银层5厚度为25～75μm。优选地，所述盖板玻璃4为为硅酸盐玻璃中的任一种，硅酸盐玻璃的材质为SiO2，耐酸耐碱，能够很好的保护触摸屏内部结构。进一步优选地，所述盖板玻璃4的厚度为0.5～0.7mm。采用较为轻薄的盖板玻璃4，结合其他膜层，既能够起到保护其他膜层的作用，又起到降低触摸屏厚度的作用。本专利技术实施例中的GF2结构触摸屏，以纳米银层和曝光银胶层取代了现有的ITO导电材料，线宽可以达到2微米及以下，在实现触摸屏轻薄化的同时，还实现触摸屏的低阻抗和高透过率，并保持触摸屏的光学性能与现有双面ITO触摸屏相当。与此同时，本专利技术实施例在提供上述GF2结构触摸屏的基础上，还进一步提供了该触摸屏的一种制造工艺。在一实施例中，所述GF2结构触摸屏的制造工艺至少包括以下步骤：对一表面叠设有纳米银层5的基材1进行缩水处理；将干膜贴附于所述纳米银层4表面，然后对所述基材1进行片材切割处理；对所述干膜进行曝光、显影处理；在所述基材1的另一表面进行银浆的涂覆处理；对所述银胶进行预烘烤处理，获得曝光银胶层6；对所述曝光银胶层6进行曝光、显影处理；对所述曝光银胶层6进行固烤处理。其中，在优选实施例中，所述缩水处理的温度为145～155℃，具体是将叠设有纳米银层4的基材1，置于145～155℃的环境中，并以1.2～1.7m/min的速度将基材1通过该温度的环境，确保缩水的效率，同时能够除去基材1的水分，起到定型，且稳定方阻的作用。进一步优选地，缩水处理时，纳米银层4朝上。将干膜贴附于纳米银层4表面，既可以避免纳米银层4在卷材裁切成片材过程中出现的划伤等损害，又可以确保不曝光、不显影部位的性能。优选地，在干膜曝光处理中，曝光的光能量为45～55mj/cm2。进一步优选地，所述曝光的光是波长在315～400nm的UV光。优选地，银浆的粘度为100～120dpa.s；将该粘度范围内的银浆涂覆于基材层1的表面时，银浆既不成股流动，也不过于粘稠。优选地，预烘烤的温度为100～120℃；所述基材1在预烘烤中通过100～120℃温度空间的速度为3.0～4.0m/min。温度过高而速度过慢、温度过低而速度过快、均会出现显影不干净或显影过度等不良，造成预烘烤失败。优选地，用于曝光银胶层6的光能量为350～4505mj/cm2。进一步优选地，所述曝光的光为波长在315～400nm的UV光。优选地，显影处理时，显影液的浓度为0.120％～0.150％，所述显影速度为3.0～5.0m/min。优选地，所述固烤温度为135～145℃；所述固烤时间为50～70min。温度和时间不够会导致银浆附着力差(即银浆脱落)，温度和时间过长会导致PET材料变形严重，银浆也会因过分干燥导致附着力和硬度不达标。此外，上述制造工艺还包括在曝光银胶层6表面或者纳米银层5表面贴附透明光学双面胶3；以及在所述透明光学双面胶3表面贴附盖板玻璃4的过程。本专利技术实施例提供的GF2结构触摸屏的制造工艺，只在需要图形的位置印刷感光银浆，并经过曝光、显影保留所需要的图案即可，而不需要的图案则被清洗掉，减少了导电材料的浪费，提高了导电材料的利用率，能够极大的降低透明导电膜的生产成本；与此同时，由于曝光银浆Metal mesh是以感光导电银物质替换ITO，可实现触摸屏的低电阻和挠曲性，但不降低光学性能。以下通过多个实施例来举例说明本专利技术实施例GF2结构触摸屏、作用以及达到的效果。实施例1一种GF2结构触摸屏。其中，如图2所示，包括具有A面、B面两相对表面的PET基材层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GF2结构触摸屏，其特征在于：包括，具有A面、B面两相对表面的基材层；以及自所述A面向外，依次叠设的曝光银胶层、透明光学双面胶层、盖板玻璃层；所述B面叠设有纳米银层；或，自所述A面向外，依次叠设的纳米银层、透明光学双面胶层、盖板玻璃层；所述B面叠设有曝光银胶层。

【技术特征摘要】
1.一种GF2结构触摸屏，其特征在于：包括，具有A面、B面两相对表面的基材层；以及自所述A面向外，依次叠设的曝光银胶层、透明光学双面胶层、盖板玻璃层；所述B面叠设有纳米银层；或，自所述A面向外，依次叠设的纳米银层、透明光学双面胶层、盖板玻璃层；所述B面叠设有曝光银胶层。2.如权利要求1所述的GF2结构触摸屏，其特征在于：所述曝光银胶层由银浆涂覆而成，所述银浆的粘度为100～120dpa.s；所述曝光银胶层的厚度为2～5μm。3.如权利要求1～2任一所述的GF2结构触摸屏，其特征在于：所述纳米银层厚度为25～75μm。4.如权利要求1所述的GF2结构触摸屏，其特征在于：所述基材层的材料为PET；所述基材层的厚度为50～125μm。5.如权利要求1所述的GF2结构触摸屏，其特征在于：所述盖板玻璃为硅酸盐玻璃中的任一种，所述盖板玻璃的厚度为0.5～0.7mm。6.如权利要求1～5任一所述的GF2结构触摸屏的制造工艺，其特征在于：至少包括以下步骤：对一表面叠设有纳米银层的基材进行缩水处理；将干膜贴附于所述纳米银层表面，然后对所述基材进行片材切割处理；对所述干膜进行曝光、显影处理；在所述基材的另一表面进行曝光银胶的涂覆处理；对所述曝光银胶进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾仁宝，王令，黎美峰，李文潮，
申请(专利权)人：深圳市骏达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44