用于去除底切的UMB蚀刻方法技术

一种方法，包括形成衬底上方的凸块下金属(UBM)层以及形成UBM层上方的掩模。该掩模覆盖UBM层的第一部分，而UBM层的第二部分通过掩模中的开口暴露。在开口中和UBM层的第二部分上形成了金属凸块。然后，去除掩模。执行激光去除来去除UBM层的第一部分的部分并且形成UBM。本发明专利技术还公开了一种用于去除底切的UMB蚀刻方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及半导体
，更具体地来说，涉及一种UBM蚀刻方法。
技术介绍
在形成半导体晶圆时，首先在半导体衬底表面上形成集成电路器件，诸如，晶体管。然后在集成电路器件上方形成互连结构。在半导体芯片的表面上形成金属凸块，以便接触半导体电路器件。在典型的金属凸块形成工艺中，首先形成凸块下金属(UBM)层，从而电连接金属焊盘。该UBM层可以包括钛层以及处在钛层上方的铜种层。随后在UBM层上(例如，通过电镀)形成金属凸块。该形成工艺包括形成掩模来覆盖UBM层的第一部分，并且留出未被覆盖的UBM层的第二部分。金属凸块形成在UBM层的第二部分上。在形成该金属凸块之 后，去除掩模，并且通过湿式蚀刻去除UBM层的第一部分。明显地，由于对钛层进行了横向蚀刻，该湿式蚀刻导致在金属凸块下方形成了底切。由此，金属凸块会与相应的芯片或晶圆分层，从而导致金属凸块制造工艺的低产量。
技术实现思路
为了解决现有所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种方法，包括形成衬底上方的凸块下金属(UBM)层；形成所述UBM层上方的掩模，其中，所述掩模覆盖所述UBM层的第一部分，而所述UBM层的第二部分通过所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：形成衬底上方的凸块下金属(UBM)层；形成所述UBM层上方的掩模，其中，所述掩模覆盖所述UBM层的第一部分，而所述UBM层的第二部分通过所述掩模中的开口暴露；在所述开口中和所述UBM层的所述第二部分上形成金属凸块；去除所述掩模；以及执行激光去除来去除所述UBM层的所述第一部分的部分，从而形成UBM。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：雷弋易，郭宏瑞，刘重希，李明机，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：