用于集成电路器件的增强散热的凸出TSV尖端制造技术

本发明专利技术涉及一种集成电路器件（100），其包括具有顶面的衬底（110），该顶面包括衬底焊盘（112）；以及包括半导体衬底（105）的贯穿衬底通孔（115）芯片，半导体衬底（105）包括具有有源电路的顶部半导体表面（106）和底表面（106）。顶部半导体表面（107）包括在衬底顶表面上耦合到衬底焊盘的结合连接器（109）。多个贯穿衬底通孔（TSV）包括从顶侧半导体表面延伸到凸出TSV尖端（121）的内部金属芯（125），该TSV尖端（121）从底表面向外延伸。多个TSV的至少一个是伪TSV（120），伪TSV（120）具有其凸出TSV尖端，该凸出TSV尖端没有到其上的任何电气连接，并且提供另外表面积从而增强从TSV芯片的底侧散热。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
公开的实施例涉及包括贯穿衬底通孔例如贯穿硅通孔的集成电路(1C)。
技术介绍
在半导体晶片上制造的大規模IC芯片中，电子信号由电流携帯通过导体和晶体管。在IC芯片中由电流携帯的能量以热量的形式沿电流流过IC的路径部分耗散。在IC中生成的热量P是动态功率Pd和静态功率Ps之和P=PD+Ps=ACV2f+VIleak 其中A是栅极活性因数，C是全部栅极的总电容负载，V2是峰到峰电源电压摆动，f是频率，并且Ilrak是泄漏电流。静态功率项Ps=VIleak是由于泄漏电流Ileak耗散的静态功率。动态功率项PD=ACV2f是从IC电容负载的充电和放电耗散的动态功率。IC芯片的另一特性是芯片上温度的不均匀分布。越来越多的功能块集成在片上系统(SOC)设计中的单芯片中。较高的功率密度块产生不均匀的温度分布，并在芯片上导致“热点或过热点”，也称为“热块或过热块”。过热点能够导致跨芯片约5°C到大致30°C的温差。由于载流子迁移率与温度成反比，因此时钟速度通常是为了芯片上的最热点而设计。因此，热设计由这些片上热点的温度驱动。同样，如果由于跨芯片的片上温度变化因此没有跨IC芯片实现均匀载流子迁移率，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·马瓦塔里，K·奥亚，Y·尤米达，J·A·韦斯特，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：
国别省市：