制造集成电路元件的方法技术

本发明专利技术是有关于一种制造集成电路元件的方法，其包括以下步骤：(1)为第一子集制造多层光罩，此多层光罩具有多个图案，这些图案彼此不同，以分别对应第一子集的层结构。(2)为第二子集制造第一投产光罩，此第一投产光罩具有多个图案，这些图案彼此相同。(3)使用多层光罩和第一投产光罩进行试制。(4)试制后，为第一子集制造第二投产光罩。(5)使用第一投产光罩和第二投产光罩，制造集成电路元件。本发明专利技术的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造的方法，特别是涉及一种与光罩相关的半导体制造的方法。
技术介绍
制造集成电路元件需要一系列的光罩，其中光罩的图案投影至半导体基材上以形成图案。因为集成电路元件的复杂度增加以及成品电路的几何面积缩小，量产前需要先试制以验证。试制时，要使用能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行。·量产时，在光罩上制造多个相同图案，用于在半导体基材的多个晶粒上，形成多个相同图案。这些晶粒位于半导体基材的同一层。此方法可以使多个晶粒同时曝光。试制时常见的方法是使用多层光罩(Multi-Layer Masks, MLMs)，多层光罩包含多个图案，这些图案间彼此不同以分别对应半导体基材的不同层结构，而非形成多个相同图案。使用多层光罩的一图案，图案化半导体基材的第一层结构后，再将多层光罩相对于半导体基材移动，以图案化半导体基材的第二层结构。举例但并非限制，多层光罩包含四个图案，用在半导体基材上形成四个图案，这些图案分别位于一晶粒的四个不同层，且一次只能图案化一晶粒。使用多层光罩虽然使得产量减少，但因为光罩的制造费用下降，此技术仍具有优势。多层光罩出现在美国专利先前技术6，710，851及5，995，200，因此将二案合并以作为参考。此二案描述多层光罩的多个不同图案，皆以周边界以及间边界分隔，但此多层光罩无法使用于量产，呈现于先前技术的问题亟待改善。由此可见，上述现有的在方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般方法又没有适切的方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的存在的缺陷，本专利技术人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的，能够改进一般现有的，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的存在的缺陷，而提供一种新的，所要解决的技术问题是使其量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种，其中该集成电路元件具有多个层结构，将该些层结构至少区分为一第一子集和一第二子集，该包括以下步骤为该第一子集制造至少一多层光罩，其中该多层光罩具有多个图案，该些图案彼此不同，以分别对应该第一子集中的该些层结构；为该第二子集制造至少一第一投产光罩，其中该第一投产光罩包含多个图案，该些图案彼此相同；使用该多层光罩和该第一投产光罩，进行试制；在试制后，为该第一子集制造至少一第二投产光罩；以及使用该第一投产光罩和该第二投产光罩，制造该集成电路兀件。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的，其中所述的多层光罩包含至少一间隙，介于该 多层光罩的该些图案之间，该第一投产光罩包含至少一切割道，介于该第一投产光罩的该些图案之间，且该间隙的宽度宽于该切割道之宽度。前述的，其中所述的第二子集包含至少一有效区图案。前述的，其中所述的第二子集包含至少一多晶硅层图案。前述的，其中所述的第二子集包含至少一接触层图案。前述的，其中所述的第二子集包含至少一金属层图案。前述的，其中进行该试制的步骤包含一次将该多层光罩的该些图案其中之一，曝光至一晶圆的一子区域；以及一次将该投产光罩的该些图案，曝光至一晶圆的一区域。前述的，其中进行该试制的步骤包含使用该多层光罩进行一屏蔽式曝光；以及使用该投产光罩进行一非屏蔽式曝光。前述的，其中所述的多层光罩包含至少一间隙，介于该多层光罩的该些图案之间，且该多层光罩的该些图案均包含一对准标志组，该对准标志组形成于该间隙上。前述的，其中所述的第一投产光罩包含至少一切割道，介于该第一投产光罩的该些图案之间，以及一对准标志组，形成于该切割道上，且重复形成于每一该些图案的周围，藉此使每一该些图案均具有本身的对准标志组。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本专利技术的主要
技术实现思路
如下为达到上述目的，本专利技术提供了一种。此集成电路元件具有多个层结构，这些层结构区分为第一子集和第二子集。步骤如下I、为第一子集制造多层光罩，此多层光罩具有多个图案，这些图案彼此不同，以分别对应第一子集的层结构。2、为第二子集制造第一投产光罩，此第一投产光罩具有多个图案，这些图案彼此相同。3、使用多层光罩和第一投产光罩进行试制。4、试制后，为第一子集制造第二投产光罩。5、使用第一投产光罩和第二投产光罩，制造集成电路元件。另外，为达到上述目的，本专利技术还提供了一种混合式光罩组，其可图案化半导体基材的层结构，以制造集成电路元件，这些层结构区分为第一子集和第二子集。混合式光罩组包含多层光罩和投产光罩。多层光罩包含多个图案与间隙，多层光罩的图案彼此不同以分别对应第一子集。间隙分隔这些图案。投产光罩也包含多个图案与切割道。投产光罩的图案彼此相同以对应第二子集。切割道分隔这些图案。其中，多层光罩的间隙的宽度宽于投产光罩的切割道的宽度。再者，为达到上述目的，本专利技术再提供了一种光罩，其可图案化半导体基材，以制造集成电路元件。此光罩包含基板、光罩区、输出图案以及对准标志组。其中，光罩区定义于基板，且此光罩区包含多个子光罩区与切割道。切割道分隔子光罩区。输出图案重复形 成于子光罩区。对准标志组重复形成于子光罩区周围的切割道，藉此使子光罩区具有本身的对准标志组。借由上述技术方案，本专利技术至少具有下列优点及有益效果本专利技术的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。综上所述，本专利技术是有关于一种，其包括以下步骤(I)为第一子集制造多层光罩，此多层光罩具有多个图案，这些图案彼此不同，以分别对应第一子集的层结构。(2)为第二子集制造第一投产光罩，此第一投产光罩具有多个图案，这些图案彼此相同。(3)使用多层光罩和第一投产光罩进行试制。(4)试制后，为第一子集制造第二投产光罩。(5)使用第一投产光罩和第二投产光罩，制造集成电路元件。本专利技术在技术上有显著的进步，具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图I是本专利技术另一较佳实施例的一种微影系统的标准实施例图。图2是图I微影系统中所使用的半导体晶圆其一实施例的俯视图。图3-6是依照本专利技术另一较佳实施例的用于图I微影系统的多个光罩的示意图。图7是使用图I微影系统的方法及依照本专利技术另一较佳实施例的图3-6的光罩的流程图。图8是依照本专利技术另一较佳实施例使用于图I微影系统的一种混合式光罩组的示意图。100 :微影系统110:发光源120:照明系统130 :光罩140 :接物镜145 :光孔150 :基板台160 :半导体基材162 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造集成电路元件的方法，其特征在于，其中该集成电路元件具有多个层结构，将该些层结构至少区分为一第一子集和一第二子集，该制造集成电路元件的方法包括以下步骤：为该第一子集制造至少一多层光罩，其中该多层光罩具有多个图案，该些图案彼此不同，以分别对应该第一子集中的该些层结构；为该第二子集制造至少一第一投产光罩，其中该第一投产光罩包含多个图案，该些图案彼此相同；使用该多层光罩和该第一投产光罩，进行试制；在试制后，为该第一子集制造至少一第二投产光罩；以及使用该第一投产光罩和该第二投产光罩，制造该集成电路元件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林丰隆，吴冠良，梁哲荣，蔡飞国，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：