集成电路器件和制作技术制造技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】集成电路器件和制作技术。一种半导体器件制作方法可以包括在相同处理步骤中掺杂集成电路的衬底的第一和第二部分。第一部分对应于半导体器件的掺杂的区域。第二部分对应于过孔接触。该方法还可以包括在掺杂之后形成半导体器件的栅极。【专利说明】集成电路器件和制作技术
本公开内容集成电路器件和集成电路制作技术。本公开内容的一些实施例具体地 涉及一种制作finFET的方法。
技术介绍
制造集成电路（1C)的成本与为了制作1C而需要的工艺步骤数目有关。减少为了 制作1C而需要的工艺步骤数目可以用多种方式减少制造1C的成本。例如减少工艺步骤数 目可以减少制作工艺的持续时间、由此释放昂贵资源，诸如制作设施和设备用于在制作附 加1C时使用。作为另一示例，减少工艺步骤数目可以增加制作工艺的产量，由此减少每1C 成本。 随着半导体特征尺寸已经继续缩减，常规场效应晶体管（FET)已经越来越遭受问 题，诸如短沟道效应、高漏电流和高静态功率耗散。已经研究常规平面FET结构的许多备 选，这些备选包括非平面finFET。finFET是场效应晶体管，在该场效应晶体...
【技术保护点】
一种半导体器件制作方法，包括：通过在相同处理步骤中掺杂集成电路的绝缘体上硅(SOI)衬底的部分在静态随机存取存储器(SRAM)的单元中形成finFET的全耗尽沟道，所述部分中的第一部分对应于finFET的第一掺杂的区域，所述部分中的第二部分对应于所述finFET的第二掺杂的区域，并且所述部分中的第三部分对应于过孔接触；并且在所述掺杂之后，形成所述finFET的栅极。
【技术特征摘要】
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