【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种具有引线框架的薄衬底封装结构。
技术介绍
1、半导体封装件行业的创新贡献为技术进步做出了巨大贡献——无论是在电子领域还是在全球其他
然而，在本领域内始终在进行改进，并且继续保证采用新颖且创新性的方法来进一步推动行业发展。随着半导体封装件小型化需求的增加，制造商正在开发能够满足并超越该需求的封装件和方法。特别地，随着制造商寻求具有更小、更快和更高性能的半导体封装件的创新集成电路，涉及处理具有相对较薄厚度的衬底的工艺和方法仍然越来越困难。
2、由于各种原因(其中之一是由于条带处理问题)，尝试用相对较薄的衬底来组装半导体封装件仍然具有挑战性。例如，当试图处理具有较低厚度的衬底条带时，条带变得脆弱并且阻碍衬底的一致处理。该特定问题在处理具有大约240x74毫米尺寸的较大条带时尤其普遍。这种问题影响制造的衬底使其不可用，并且不能满足当前对较小半导体封装件的需求。
技术实现思路
1、在体现本公开的原理的衬底封装和方法中，薄有机层压衬底被放置在引线框架单元的中心，从而减少在封装组装过程期间的条带处理问题，并且产生更小、更轻且高效的半导体封装件。由于封装过程期间的条带处理问题和最终产品的易碎性，制造薄衬底已被证明是困难的。本公开涉及利用引线框架部分作为加强件或支撑件，其中薄有机层压衬底在引线框架部分之间。使引线框架能够用作加强件增加了薄衬底在封装和使用期间的稳定性。由于引线框架部分的高度或尺寸大于薄衬底的高度，这也产生了明显更小的半导体封装件。
2、根
3、衬底在第一和第二引线框架部分之间的中心开口中。薄衬底包括第一接触表面和第二接触表面，第一接触表面具有多个接触焊盘。薄衬底包括横向于第一接触表面和第二接触表面的第三侧壁，第三侧壁具有小于或等于0.10毫米(mm)的尺寸。
4、第一裸片在衬底上，并且包括具有多个接触焊盘的第一接触表面。第一裸片还包括第四侧壁，第四侧壁横向于第一接触表面。多条导线耦合在裸片与衬底之间以及裸片与引线框架部分之间。此外，成型化合物将引线框架部分、衬底、第一裸片以及第一对和第二对导线包封。
5、根据本公开的一个或多个方面，提供了一种半导体器件，包括：第一引线框架部分，具有与第二接触表面相对的第一接触表面，以及横向于第一接触表面和第二接触表面的第一侧壁；第二引线框架部分，具有与第二接触表面相对的第一接触表面；中心开口，在第一引线框架部分与第二引线框架部分之间；衬底，在第一引线框架部分与第二引线框架部分之间的中心开口中，衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面、第二侧壁，第二侧壁小于第一侧壁；第一裸片，在衬底上，第一裸片具有第三侧壁，第一侧壁大于第二侧壁和第三侧壁；以及成型化合物，覆盖第一引线框架部分和第二引线框架部分、第一裸片以及衬底。
6、在一个或多个实施例中，第一引线框架部分和第二引线框架部分具有小于或等于0.20毫米的第一侧壁尺寸。
7、在一个或多个实施例中，衬底具有小于或等于0.10毫米的第二侧壁尺寸。
8、在一个或多个实施例中，成型化合物具有第一侧壁、第二侧壁以及第三侧壁的组合的尺寸。
9、在一个或多个实施例中，第一裸片是微机电系统。
10、在一个或多个实施例中，第一引线框架部分包括横向于第一接触表面和第二接触表面的第四外部侧壁，第四外部侧壁与第一侧壁基本相同；并且第四外部侧壁大于衬底的第二侧壁。
11、在一个或多个实施例中，第一裸片的第二表面上的多个连接件的曲线的峰的第四尺寸等于或小于0.05毫米。
12、在一个或多个实施例中，衬底是有机层压衬底。
13、在一个或多个实施例中，衬底的第一表面具有与第一引线框架部分和第二引线框架部分的第一接触表面共面的多个接触件。
14、在一个或多个实施例中，该半导体器件还包括多个焊球，多个焊球被耦合到在衬底的第一接触表面上以及在第一引线框架部分和第二引线框架部分的第一接触表面上的多个接触焊盘。
15、在一个或多个实施例中，成型化合物是树脂成型化合物。
16、根据本公开的一个或多个方面，提供了一种半导体器件，包括：引线框架，在第一方向上具有第一尺寸；开口，在引线框架中；衬底，在引线框架中的开口中，衬底在第一方向上具有第二尺寸，第一尺寸大于第二尺寸；以及第一裸片，在衬底上，第一裸片和衬底在第一方向上具有第三尺寸，第一尺寸大于第三尺寸。
17、在一个或多个实施例中，该半导体器件还包括多条导线，多条导线中的第一集合被耦合在第一裸片与衬底之间，多条导线中的第二集合被耦合在第一裸片与引线框架之间。
18、在一个或多个实施例中，衬底具有与第二表面相对的第一表面，第一裸片在第一表面上，多条导线中的至少一条导线具有曲线，其中从曲线的峰到衬底的第二表面的第四尺寸小于或等于0.20毫米。
19、在一个或多个实施例中，该半导体器件还包括覆盖引线框架、开口、衬底以及第一裸片的成型化合物。
20、在一个或多个实施例中，包括成型化合物的第五尺寸等于或大于第一尺寸、第二尺寸、第三尺寸以及第四尺寸的总和。
21、通过使用根据本公开的实施例，可以至少解决前述问题的至少一部分，并实现相应的效果，例如减少在封装组装过程期间的条带处理问题。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一引线框架部分和所述第二引线框架部分具有小于或等于0.20毫米的第一侧壁尺寸。
3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述衬底具有小于或等于0.10毫米的第二侧壁尺寸。
4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述成型化合物具有所述第一侧壁、所述第二侧壁以及所述第三侧壁的组合的尺寸。
5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一裸片是微机电系统。
6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一引线框架部分包括横向于所述第一接触表面和所述第二接触表面的第四外部侧壁，所述第四外部侧壁与所述第一侧壁基本相同；并且所述第四外部侧壁大于所述衬底的所述第二侧壁。
7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一裸片的所述第二表面上的多个连接件的曲线的峰的第四尺寸等于或小于0.05毫米。
8.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述衬底是有机层压衬底。
9.根据权利要求1所述的器件，其特征在于
10.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括多个焊球，所述多个焊球被耦合到在所述衬底的所述第一接触表面上以及在所述第一引线框架部分和所述第二引线框架部分的所述第一接触表面上的多个接触焊盘。
11.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述成型化合物是树脂成型化合物。
12.一种半导体器件，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，还包括多条导线，所述多条导线中的第一集合被耦合在所述第一裸片与所述衬底之间，所述多条导线中的第二集合被耦合在所述第一裸片与所述引线框架之间。
14.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，所述衬底具有与第二表面相对的第一表面，所述第一裸片在所述第一表面上，所述多条导线中的至少一条导线具有曲线，其中从所述曲线的峰到所述衬底的所述第二表面的第四尺寸小于或等于0.20毫米。
15.根据权利要求14所述的器件，其特征在于，还包括覆盖所述引线框架、所述开口、所述衬底以及所述第一裸片的成型化合物。
16.根据权利要求15所述的器件，其特征在于，包括所述成型化合物的第五尺寸等于或大于所述第一尺寸、所述第二尺寸、所述第三尺寸以及所述第四尺寸的总和。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一引线框架部分和所述第二引线框架部分具有小于或等于0.20毫米的第一侧壁尺寸。
3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述衬底具有小于或等于0.10毫米的第二侧壁尺寸。
4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述成型化合物具有所述第一侧壁、所述第二侧壁以及所述第三侧壁的组合的尺寸。
5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一裸片是微机电系统。
6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一引线框架部分包括横向于所述第一接触表面和所述第二接触表面的第四外部侧壁，所述第四外部侧壁与所述第一侧壁基本相同；并且所述第四外部侧壁大于所述衬底的所述第二侧壁。
7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一裸片的所述第二表面上的多个连接件的曲线的峰的第四尺寸等于或小于0.05毫米。
8.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述衬底是有机层压衬底。
9.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述衬底的所述第一表面具有与所述第一引线框架部分和所述第二引线框架部分的所述第一接触表面共面的多个接...
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