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文档序号:41014558
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本公开的实施例涉及半导体器件。本公开涉及薄衬底封装件和制造半导体封装件的引线框架方法。半导体封装件包括第一引线框架部分和第二引线框架部分。衬底被定位在第一引线框架部分与第二引线框架部分之间的中心开口中,衬底具有小于或等于0.10毫米(mm)...
该专利属于意法半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过意法半导体公司授权不得商用。
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