半导体装置、表面设有布线的立体结构物、存储卡以及磁头模块制造方法及图纸

本发明专利技术又是一种立体结构物，其在表面设有布线，其特征在于：在立体结构物的表面，形成跨及立体结构物的彼此交叉的相邻面间延伸的布线用凹槽，将布线用导体的至少一部分埋入所述布线用凹槽中。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术又是一种立体结构物，其在表面设有布线，其特征在于：在立体结构物的表面，形成跨及立体结构物的彼此交叉的相邻面间延伸的布线用凹槽，将布线用导体的至少一部分埋入所述布线用凹槽中。【专利说明】半导体装置、表面设有布线的立体结构物、存储卡以及磁头模块本申请是基于以下中国专利申请的分案申请:原案申请日:2010年01月26日原案申请号:201080004594.3原案申请名称:半导体芯片的安装方法、使用该方法获得的半导体装置以及半导体芯片的连接方法与表面设有布线的立体结构物及其制法
本专利技术涉及一种半导体装置、表面设有布线的半导体装置等立体结构物、存储卡以及磁头模块。
技术介绍
一直以来，在绝缘基材上安装有半导体芯片的半导体装置被广为知晓。作为在绝缘基材上搭载半导体芯片，并将该半导体芯片与形成在绝缘基材表面的电极垫电连接的方法，广泛使用的是借助引线接合的方法。借助引线接合的接线方法如图6所示，是利用由金或铜等形成的直径数10 μ m左右的引线13来将形成在半导体芯片22上表面的接合垫22a与绝缘基材11侧的电极垫I Ia彼此连接的方法。更具体而言，所述接线方法是这样的方法:利用超声波并用热压接方式将穿过形成在可移动的毛细管的中心的贯穿孔并从毛细管之顶端突出的引线连接至一个垫之后，一边从贯穿孔抽出引线一边使毛细管移动到另一个垫，向该另一个垫按压引线以及毛细管并通过超声波并用热压接方式将引线连接至垫，同时切断引线。根据引线接合的方法，如图6所示，利用直径数10 μ m左右的引线13来将形成在半导体芯片22表面的接合垫22a与绝缘基材11表面的电极垫Ila彼此接线。根据此种方法，存在如下所述的问题。通常，在半导体装置的制造工序中，在引线接合工序之后，通过树脂密封材料来密封半导体芯片的表面而实现封装，以保护半导体芯片。在此种密封工序中所用的密封材料中，通常添加有大量的无机填充材料，以赋予充分的绝缘性，或者提高尺寸稳定性。并且，大量含有此种无机填充材料的密封材料的流动性极差。因此，如果要在将搭载有半导体芯片的基材内插到模具内之后，使密封材料完全填充到模具内，则必须在非常高的压力下成型。此种情况下存在如下问题:用于接合的引线会承受较大的外力，引线会切断或损伤，由此损害半导体装置的可靠性。为了解决此类问题，也曾采用了加大引线直径的对策。但是，广泛用于引线的是价格昂贵的金。因此，加大引线直径会导致成本上升。除此以外，在引线接合的方法中，考虑到引线的摇摆7)量而无法缩窄引线的间隔，因此也存在布线密度低的问题。作为取代引线接合的方法，例如已知的是下述非专利文献I公开的方法。具体说明其概略。(I)首先，利用硅氧化膜来包覆固定在可挠性基板上的半导体芯片。然后，在硅氧化膜表面形成用于平坦化的有机膜。接下来，使用金属掩模，去除半导体芯片表面的接合垫的表面以及可挠性基板上形成的电极垫的表面上的硅氧化膜以及有机膜。(2 )然后，仅去除其他部分的有机膜。(3)接下来，使电镀种子附着于整个表面，然后以覆盖电镀种子的方式形成电镀用抗蚀剂。然后，在电镀用抗蚀剂表面进一步形成硅氧化膜。继而，在硅氧化膜表面再形成用于平坦化的有机膜。(4)然后，使用金属掩模，以沿着连接接合垫与电极垫的、要形成布线的部分的路径的方式，去除硅氧化膜以及有机膜。(5)继而，将硅氧化膜作为掩模，去除未形成硅氧化膜的部分的电镀用抗蚀剂，从而使电镀种子露出。(6)最后，实施电镀处理，从而仅在上述工序中残留电镀种子的部分形成电镀层，以形成布线。现有技术文献非专利文献1:第19届微电机/ MEMS展的同时召开安排“FINE MEMS计划中间成果发表会(2008年7月31日于东京国际展览馆(Tokyo Big Sight))”的“MEMS-半导体横向布线技术(东北大学大学院工学研究科小柳光正氏演讲)”的参考配发物
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术想要解决以往为了将配置在绝缘基材表面的半导体芯片连接于形成在绝缘基材表面的电极垫而使用的引线接合中的所述问题，其目的在于，利用容易的工序形成能够抑制借助树脂密封材料进行的密封时的引线的切断或损伤的产生的布线。而且，本专利技术的又一目的在于，在表面设有布线的立体结构物中，提高布线相对于该立体结构物的粘合强度，从而减少布线的脱落、偏离、断裂等问题。解决问题的手段本专利技术是一种半导体芯片的安装方法，用于将配置在绝缘基材表面的半导体芯片的表面上所设的接合垫电连接至与形成在所述绝缘基材表面的所述接合垫对应的电极垫，其特征在于，包括:覆膜形成工序，在连接所述接合垫与所述电极垫的路径的表面形成树脂覆膜；布线槽形成工序，沿着用于连接所述接合垫与所述电极垫的路径，通过激光加工而形成深度等于或大于所述树脂覆膜的厚度的布线槽；催化剂沉积工序，使电镀催化剂或其前体沉积在所述布线槽的表面；覆膜去除工序，使所述树脂覆膜溶解或膨润于指定液体以将其去除；以及电镀处理工序，在去除所述树脂覆膜之后，仅在残留所述电镀催化剂或由所述电镀催化剂前体形成的电镀催化剂的部位形成非电解镀膜。本专利技术又是一种立体结构物，其在表面设有布线，其特征在于:在立体结构物的表面，形成跨及立体结构物的彼此交叉的相邻面间或者在平面或曲面上延伸的布线用凹槽，将布线用导体的至少一部分埋入所述布线用凹槽中。本专利技术的目的、方案、特征以及优点，通过以下的详细说明与附图将更为明确。【专利附图】【附图说明】图1(A)?图1(C)是用于说明本专利技术的第一实施方式所涉及的半导体芯片的安装方法的前半工序的说明图。图2(A)?图2(C)是用于说明本专利技术的第一实施方式所涉及的半导体芯片的安装方法的后半工序的说明图。图3是使用本专利技术的第一实施方式所涉及的半导体芯片的安装方法所获得的半导体装置的示意说明图。图4(A)?图4(C)是用于说明本专利技术的第二实施方式所涉及的半导体芯片的连接方法的前半工序的说明图。图5(A)?图5(C)是用于说明本专利技术的第二实施方式所涉及的半导体芯片的连接方法的后半工序的说明图。图6是示意性地表示通过引线接合的方法而接线的以往的半导体装置的安装结构的示意图。图7是表示利用非专利文献I所公开的方法而获得的立体布线在基材表面上的状态的说明图。图8 (A)?图8(E)是形成深度等于树脂覆膜的厚度的布线槽时的、与图1 (B)?图1(C)或者图4(B)?图4(C)以及图2㈧?图2(C)或者图5㈧?图5(C)对应的工序图。图9(A)?图9(E)是形成深度大于树脂覆膜的厚度的布线槽时的、与图1 (B)?图1(C)或者图4(B)?图4(C)以及图2㈧?图2(C)或者图5㈧?图5(C)对应的工序图。图10(a)?图10(c)是表示图9(E)中所得的布线的变形例的说明图。图11⑷?图11 (C)是表示使用CMP处理的布线形成方法的工序图。图12是表示本专利技术的第三实施方式所涉及的在表面设有布线的立体结构物的主要部分的放大立体图。图13是表示所述立体结构物中的垫部的结构的具体一例的放大剖视图。图14(a)是表示所述立体结构物中的垫部结构的不理想例的放大剖视图，图14(b)是表示理想例的放大剖视图。图15是表示本专利技术的第四实施方式所涉及的在表面设有布线的立体结构物的主要部分的放大立体图。图16是表示本专利技术的第五本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于：在绝缘基材表面配设具有接合垫的半导体芯片，所述接合垫通过形成在所述半导体芯片的表面以及所述绝缘基材表面的电镀膜而连接于形成在所述绝缘基材表面的电极垫。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉冈慎悟，藤原弘明，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：