【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体封装结构，包括芯片，所述芯片上设有电极，所述芯片和所述电极上选择性的覆盖有钝化层，其特征在于，所述电极上设有绝缘中空柱状件，所述绝缘中空柱状件表面及位于所述绝缘中空柱状件内部的所述电极表面设有金属层，所述金属层上、所述绝缘中空柱状件内设有第一金属柱，所述第一金属柱上及所述金属层上设有第二金属柱，所述第二金属柱通过焊料层连接铜板，所述钝化层为氧化硅层或氮化硅层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：施建根，王小江，顾健，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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