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本实用新型公开了一种半导体封装结构，包括芯片，所述芯片上设有电极，所述芯片和所述电极上选择性的覆盖有钝化层，所述电极上设有绝缘中空柱状件，所述绝缘中空柱状件表面及位于所述绝缘中空柱状件内部的所述电极表面设有金属层，所述金属层上、所述绝缘中空...
该专利属于南通富士通微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通富士通微电子股份有限公司授权不得商用。

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